时间：2025/8/14 23:13:27
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MBR1690FCT是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的16V、90A双N沟道功率MOSFET器件，采用先进的Trench沟槽技术，适用于高效率电源转换应用。该器件封装在紧凑的D2PAK（TO-263）表面贴装封装中，便于在高功率密度设计中使用。MBR1690FCT内部集成了两个独立的N沟道MOSFET，每个MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够在同步整流、DC-DC转换器、负载开关等应用中提供高效率和低损耗的性能。
类型：双N沟道功率MOSFET
漏源电压（Vds）：16V
漏极电流（Id）：90A（每个MOSFET）
导通电阻（Rds(on)）：典型值1.7mΩ（在Vgs=10V）
栅极电压（Vgs）：最大±20V
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：D2PAK（TO-263）
功耗（Pd）：300W
输入电容（Ciss）：约5000pF
反向恢复时间（trr）：快速恢复型
MBR1690FCT具有多项优异特性，首先其采用Trench沟槽结构技术，能够在较低的导通电阻下实现高电流承载能力，从而显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件支持高达90A的漏极电流，适用于高功率应用场景。此外，MBR1690FCT内部集成两个独立的MOSFET，可用于同步整流拓扑结构中的高边和低边开关，减少外围元件数量，提高电路设计的灵活性。其D2PAK封装具有良好的热性能和机械稳定性，适用于表面贴装工艺，便于自动化生产和散热管理。MBR1690FCT还具备宽工作温度范围（-55°C至+175°C），可在恶劣环境下稳定运行，适用于汽车电子、工业电源、通信设备等领域。此外，该器件栅极驱动电压范围较宽，支持与多种驱动器兼容，简化了驱动电路设计。
MBR1690FCT广泛应用于各种高效率电源管理系统，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电源分配单元（PDU）、服务器电源、工业自动化设备、汽车电子中的电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）以及可再生能源系统（如太阳能逆变器）等。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件在需要高效能、高可靠性的设计中表现出色。
SiR160DG-T1-GE3, IPB169N04N G, FDD8880
