您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > W631GU6NB11I TR

W631GU6NB11I TR 发布时间 时间:2025/8/20 10:26:00 查看 阅读:8

W631GU6NB11I TR是一款由Winbond公司生产的串行闪存存储器(Serial Flash Memory),主要设计用于嵌入式系统和需要非易失性存储的应用场景。该芯片支持SPI(Serial Peripheral Interface)协议,具备高性能和低功耗的特性,适用于代码存储、数据存储以及固件更新等功能。这款IC采用小型化的封装形式,适合空间受限的设计。

参数

容量:64Mbit
  电压范围:2.3V至3.6V
  接口类型:SPI
  工作温度:-40°C至+85°C
  封装类型:USON8
  读取频率:80MHz
  写入/擦除电压:单电源供电
  

特性

W631GU6NB11I TR具备高性能和低功耗的特点,支持快速读取操作,最大读取频率可达80MHz,适用于对速度有较高要求的应用场景。该芯片支持多种SPI模式,包括单线、双线和四线SPI,允许灵活的通信配置。其内置的擦写保护机制可以防止意外的数据丢失或损坏,提高了数据存储的可靠性。
  此外,W631GU6NB11I TR的电源电压范围较宽,从2.3V到3.6V均可正常工作,这使得它能够兼容多种不同的电源设计。其低功耗模式非常适合电池供电设备,能够延长设备的续航时间。
  在可靠性方面,该芯片支持超过10万次的擦写周期,并具有20年的数据保存能力,确保了长期使用的稳定性。这些特性使得它成为嵌入式系统、工业控制设备和消费类电子产品中的理想选择。

应用

W631GU6NB11I TR广泛应用于需要非易失性存储的嵌入式系统中,例如微控制器的程序存储、BIOS存储、数据记录设备以及物联网(IoT)设备中的固件存储。其小型化封装和低功耗特性使其非常适合便携式设备、智能穿戴设备和无线传感器网络等应用场景。此外,该芯片也适用于工业自动化设备、汽车电子系统以及医疗设备中的关键数据存储需求。

替代型号

W25Q64JVSSIM TR, MX25L6433FMI-10G TR

W631GU6NB11I TR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

W631GU6NB11I TR参数

  • 现有数量2,728现货
  • 价格1 : ¥39.51000剪切带(CT)3,000 : ¥27.13628卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织64M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V,1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-VFBGA
  • 供应商器件封装96-VFBGA(7.5x13)