类型：NPN双极型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　频率响应（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据不同档位）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

F36D晶体管具有优异的高频性能和稳定的电流增益特性，使其在射频放大器和高速开关电路中表现出色。该晶体管的hFE值范围较广，可以根据具体应用需求选择合适的档位，从而优化电路性能。此外，F36D的低噪声系数和快速响应时间也使其成为低噪声放大器和高频振荡器的理想选择。
　　该晶体管的封装设计确保了良好的散热性能，能够在较高的工作温度下稳定运行。同时，F36D的硅基材料提供了优异的热稳定性和可靠性，适用于工业级和消费级电子设备。
　　在设计方面，F36D的低饱和压降和快速恢复时间使其在开关应用中表现出色，能够有效减少开关损耗并提高电路效率。此外，该晶体管的基极-发射极结具有较低的电容，有助于减少高频信号的失真，提高信号完整性。

F36D晶体管广泛应用于射频放大器、高频振荡器、低噪声放大器、高速开关电路以及模拟信号处理电路中。在通信设备中，F36D常用于射频前端模块，作为信号放大和频率转换的关键元件。此外，该晶体管也可用于音频放大器、传感器接口电路和电源管理电路中的开关元件。
　　由于其优异的高频性能和稳定的增益特性，F36D也常用于无线通信系统中的射频功率放大器设计。在这些应用中，F36D能够提供足够的增益和线性度，确保信号传输的稳定性和可靠性。
　　在消费电子领域，F36D可以用于音频放大器、LED驱动电路以及各种便携式设备中的模拟电路设计。由于其小型封装和高可靠性，F36D非常适合空间受限的应用场景。

2N3904, BC547, 2SC1815