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AON6384 发布时间 时间:2025/5/20 21:13:01 查看 阅读:3

AON6384是一款由Alpha and Omega Semiconductor(万代半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TOLL封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于高效能的电源管理应用。AON6384主要应用于负载开关、DC-DC转换器、同步整流等领域。
  这款MOSFET在设计上优化了栅极电荷和导通电阻之间的权衡,从而实现了高效的功率转换和较低的功耗。其出色的性能使其成为各种消费电子、通信设备以及工业应用的理想选择。

参数

最大漏源电压:40V
  最大连续漏极电流:157A
  导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:99nC
  输入电容:3850pF
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

AON6384具有非常低的导通电阻,能够显著降低传导损耗,提高整体系统效率。
  它还拥有较高的电流处理能力,适用于大功率应用环境。
  同时,由于采用了先进的制造工艺,AON6384具备快速的开关速度,有助于减少开关损耗。
  此外,该器件能够在较宽的温度范围内稳定工作,增强了其在不同环境下的可靠性。

应用

AON6384广泛应用于需要高效功率转换的场景中,包括但不限于:
  1. 笔记本电脑和台式机中的负载开关
  2. 服务器和通信电源的同步整流
  3. 高效DC-DC转换器
  4. 多种工业电机驱动控制
  5. 消费类电子产品的适配器和充电器
  AON6384凭借其卓越的性能和可靠性,在上述应用中表现出色。

替代型号

AON6382, AON6386

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AON6384参数

  • 现有数量0现货
  • 价格3,000 : ¥2.31181卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)83A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.3 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)35 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1330 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)36W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线