MPC17A45XVFU 时间：2025/9/3 11:37:47 阅读：14

MPC17A45XVFU是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率功率转换应用设计。该器件采用先进的Trench沟槽工艺，具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压和优异的热性能。该MOSFET适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电源管理等多种高功率应用场景。其封装形式为5引脚的TSOP（Thin Small Outline Package），支持高电流承载能力并具备良好的散热性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：4.5A（在VGS=10V）
　　导通电阻(RDS(on))：最大150mΩ（在VGS=10V）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TSOP-5

特性

MPC17A45XVFU具备多项高性能特性，首先其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率，尤其适用于高频率开关应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术，在保证小型化的同时实现了优异的电气性能。
　　其次，MPC17A45XVFU具备较高的栅极耐压能力，其栅源电压范围为±20V，能够承受一定的电压波动，增强了在复杂环境下的稳定性和可靠性。此外，其连续漏极电流为4.5A，在适当的散热条件下可支持更高功率的应用需求。
　　该MOSFET采用TSOP-5封装，尺寸紧凑，适合高密度PCB布局，同时具备良好的热管理性能，有助于提高整体系统的稳定性和寿命。MPC17A45XVFU还具备快速开关特性，减少了开关损耗，进一步提升了整体能效。
　　该器件符合RoHS环保标准，无铅封装，适用于工业级和消费类电子产品。其高可靠性和稳定性能使其成为电源管理、电池供电设备和小型电机控制等应用的理想选择。

应用

MPC17A45XVFU广泛应用于多种功率电子系统中，尤其适合需要高效能和紧凑设计的场合。其典型应用包括DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、LED照明电源、电池管理系统以及各类便携式电子设备的功率控制电路。此外，该MOSFET也可用于电源分配系统、工业自动化设备和通信基础设施中的电源管理模块，提供稳定、高效的功率切换能力。