类型：DRAM
　　容量：256Mbit
　　组织结构：16M x 16
　　电源电压：3.3V
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：工业级 (-40°C 至 +85°C)
　　访问时间：5.4ns
　　时钟频率：最大 166MHz
　　数据速率：166MHz
　　数据宽度：16位
　　封装尺寸：54-Pin

W631GU6NB-15 的核心特性之一是其高速数据存取能力，访问时间仅为 5.4ns，这使得它能够满足对性能有一定要求的应用场景。该芯片采用了低电压（3.3V）设计，有效降低了功耗并减少了热量产生，适用于对功耗敏感的嵌入式系统和工业设备。此外，其 166MHz 的时钟频率和数据速率使其在传统 DRAM 芯片中具有较强的竞争力。
　　这款 DRAM 芯片的 16M x 16 组织结构提供了 256Mbit 的存储容量，适合需要较大内存缓冲的应用。TSOP 封装形式不仅减小了芯片的物理尺寸，还提升了电气性能和散热能力。W631GU6NB-15 支持工业级工作温度范围（-40°C 至 +85°C），确保了其在恶劣环境条件下的稳定运行。

W631GU6NB-15 主要应用于需要大容量内存和较高数据存取速度的嵌入式系统、工业控制设备、网络设备以及视频处理模块。由于其高性能和低功耗的特点，该芯片也常被用于老旧的个人计算机内存扩展、图像处理设备以及工业自动化系统中的数据缓存模块。此外，在需要长期稳定运行的工业环境中，这款 DRAM 芯片也表现出良好的适应性，适用于通信设备、测试仪器和医疗电子设备等应用场景。

W631GU6NB-12, W631GU6NB-10, AS4C16M16A25BCN4-6A