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STD901T 发布时间 时间:2025/7/22 9:46:09 查看 阅读:4

STD901T是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率和高频率的应用。这款MOSFET采用了先进的制造工艺,确保了其在高电压和高电流条件下的稳定性和可靠性。STD901T采用TO-220封装,便于散热和安装,适用于多种工业和消费类电子设备。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):500V
  连续漏极电流(Id):9A
  导通电阻(Rds(on)):0.65Ω(最大值)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2V至4V
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-220

特性

STD901T具有多种优异的电气和机械特性,使其在各种高功率应用中表现出色。首先,其高漏源电压(500V)和连续漏极电流(9A)能力使其适用于高压和高电流环境。其次,导通电阻较低(最大0.65Ω),有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,其栅极阈值电压范围(2V至4V)设计合理,能够确保器件在不同驱动条件下稳定工作。
  该MOSFET的TO-220封装不仅提供了良好的散热性能,还简化了安装过程,提高了产品的耐用性和可靠性。STD901T还具备良好的抗静电性能和过热保护能力,能够在恶劣环境中稳定运行。此外,其快速开关特性使其适用于高频开关应用,如电源转换器、DC-DC转换器和电机控制电路。

应用

STD901T广泛应用于多个领域,包括电源管理、电机控制、照明系统和工业自动化设备。在电源管理方面,该器件常用于开关电源(SMPS)、AC-DC转换器和DC-DC转换器,提供高效的能量转换。在电机控制领域,STD901T可用于驱动直流电机和步进电机,确保精确的速度和位置控制。此外,它还适用于LED照明系统中的高功率驱动电路,提供稳定的电流输出。在工业自动化设备中,该MOSFET可用于各种高功率负载的开关控制,如继电器、电磁阀和加热元件。

替代型号

STD901T的替代型号包括STP9NK50Z、IRF840、IRF830和STD901W。这些型号在某些电气特性和封装形式上与STD901T相似,可以在特定应用中作为替代选择。

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STD901T参数

  • 其它有关文件STD901T View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)4A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)350V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)2V @ 20mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大)100µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)1800 @ 2A,2V
  • 功率 - 最大35W
  • 频率 - 转换-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称497-12245-6