UPS1H151MPD是一款由ROHM(罗姆)半导体公司生产的N沟道功率MOSFET,采用先进的Trench结构制造工艺,专为高效率和高性能的电源管理应用而设计。该器件封装在SOP-8小型化表面贴装封装中,具有良好的热性能和电气性能,适用于多种便携式设备和工业控制场合。其额定电压为20V,连续漏极电流可达9.6A,具备较低的导通电阻,有助于降低功耗并提升系统整体能效。此外,该MOSFET还具备出色的开关特性,适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备中的功率控制电路。由于采用了环保材料制造,并符合RoHS指令要求,因此适用于对环境友好型电子产品的需求场景。该产品在设计上优化了栅极电荷与导通电阻之间的平衡,从而在高频开关应用中表现出优异的动态响应能力。同时,其内置的体二极管也提供了反向电流保护功能,在感性负载切换过程中起到关键作用。总体而言,UPS1H151MPD是一款面向中低功率领域的高性能、高可靠性的功率MOSFET解决方案。
型号:UPS1H151MPD
制造商:ROHM
器件类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):20V
最大漏极电流(ID):9.6A
导通电阻(RDS(on)):15mΩ @ VGS=4.5V, ID=4.8A
栅极阈值电压(VGS(th)):1.0V ~ 1.8V
最大功耗(PD):2.3W
工作结温范围(Tj):-55℃ ~ +150℃
输入电容(Ciss):600pF @ VDS=10V
开关时间(上升/下降):约15ns / 8ns
封装形式:SOP-8
UPS1H151MPD具备多项关键技术特性,使其在同类N沟道MOSFET产品中表现出色。首先,其采用ROHM自主研发的Trench结构技术,显著降低了导通电阻RDS(on),实测值在VGS=4.5V条件下仅为15mΩ,这不仅减少了导通状态下的功率损耗,还提升了系统的能量转换效率。这对于电池供电设备尤为重要,能够有效延长续航时间。
其次,该器件具有较低的栅极电荷(Qg)和米勒电荷(Qsw),这意味着在开关过程中所需的驱动能量更少,从而支持更高的开关频率运行,适用于现代高频DC-DC变换器拓扑如同步整流降压转换器。此外,低Qg也有助于减少驱动IC的负担,简化外围驱动电路设计。
第三,UPS1H151MPD的热阻特性良好,SOP-8封装具备一定的散热能力,能够在有限空间内实现稳定工作。其最大功耗为2.3W,在适当PCB布局下可满足多数中等功率应用场景的需求。
第四,该MOSFET具备优良的雪崩耐受能力和抗瞬态过压能力,增强了在异常工况下的可靠性。内置的体二极管具有较快的反向恢复速度,可在感性负载断开时提供有效的续流路径,防止电压尖峰损坏其他元件。
最后,该器件的工作结温范围宽达-55℃至+150℃,确保在极端环境温度下仍能保持稳定性能,适用于工业级和汽车电子等严苛应用环境。综合来看,这些特性使UPS1H151MPD成为高效、紧凑且可靠的功率开关选择。
UPS1H151MPD广泛应用于多种需要高效功率控制的电子系统中。其主要应用领域包括便携式消费类电子产品,如智能手机、平板电脑、移动电源和可穿戴设备,其中常被用作负载开关或电池供电路径的通断控制,利用其低导通电阻和小封装优势实现节能与小型化设计。
在电源管理系统中,该器件可用于同步整流型DC-DC降压转换器的下管或上管,特别是在12V或5V转3.3V、1.8V等低压输出的应用中表现优异,有助于提高转换效率并减少发热。
此外,它也被用于电机驱动电路,例如微型直流电机或步进电机的H桥驱动模块中,作为开关元件实现正反转和调速功能,得益于其快速开关特性和较高电流承载能力。
在工业控制领域,UPS1H151MPD可用于继电器驱动、电磁阀控制、LED恒流驱动电源以及各类电源分配单元(PDU)中的功率开关部分。
由于其符合RoHS标准且不含卤素,因此也适用于绿色环保电子产品和出口型设备的设计需求。总之,该器件凭借其高性能、小尺寸和高可靠性,已成为众多中低功率开关电源和功率管理方案中的理想选择。
SiSS15DN-T1-GE3,SZ20N03EL-G,RSA015N03