时间：2025/8/6 4:44:55
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IXTA02N250是一款由IXYS公司生产的高电压、高频率N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率转换应用。这款MOSFET设计用于高效率和高可靠性，适用于工业电源、UPS（不间断电源）、DC-DC转换器以及各种开关电源系统。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：250V
连续漏极电流（ID）：2A
栅源电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220AB
导通电阻（RDS(on)）：典型值为1.4Ω @ VGS=10V
输入电容（Ciss）：约220pF
功耗（PD）：30W
IXTA02N250具备低导通电阻和快速开关特性，能够在高频条件下保持高效的功率转换性能。
该MOSFET采用了先进的平面技术，确保了器件的高稳定性和耐用性。
此外，IXTA02N250还具备良好的热稳定性和过载保护能力，能够在恶劣的工作环境下可靠运行。
其TO-220AB封装形式便于安装和散热管理，适用于多种功率电子设备的设计与应用。
该器件的栅极驱动要求较低，适合与标准驱动电路配合使用，从而降低了系统设计的复杂度和成本。
IXTA02N250广泛应用于各种电力电子系统中，如开关电源（SMPS）、电机控制、电池充电器、逆变器、DC-AC转换器以及工业自动化设备中的功率开关部分。
由于其高电压和高频操作能力，它特别适用于需要高效能和紧凑设计的电源转换系统。
在新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电系统中，IXTA02N250也常被用作关键的功率开关元件。
STP2NK25Z, FQP2N250, IRFZ20
