时间：2025/8/20 8:26:57
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W631GG8NB11I TR是一款由Winbond公司制造的高性能闪存存储器芯片。该芯片属于NAND型闪存，主要用于需要大量数据存储和快速访问的应用场景，例如嵌入式系统、移动设备和工业控制系统。W631GG8NB11I TR的封装形式适合表面贴装技术，便于在现代电子设备中集成。
容量：8Gb
封装类型：TSOP
接口类型：ONFI 3.0
工作电压：2.7V - 3.6V
工作温度范围：-40°C至+85°C
存储温度范围：-55°C至+125°C
W631GG8NB11I TR具有高容量和高速访问的特点，适合于各种数据存储应用。该芯片支持ONFI 3.0接口标准，提供高达400MB/s的读取速度和160MB/s的写入速度，确保了快速的数据传输。此外，W631GG8NB11I TR具有良好的可靠性和耐用性，能够在广泛的温度范围内稳定工作。该芯片的NAND型闪存结构支持ECC（错误校正码）功能，可以检测和纠正数据错误，提高数据存储的可靠性。
W631GG8NB11I TR广泛应用于需要大容量存储和高性能数据访问的设备中，如智能手机、平板电脑、数字相机和嵌入式系统。此外，它还适用于工业控制系统、汽车电子系统和网络设备等需要高可靠性和耐久性的应用场景。
W631GG8NB11I TR的替代型号包括Micron的MT29F8G08ABADAH4和Samsung的K9WAG08U1A。
