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W631GG8NB11I TR 发布时间 时间:2025/8/20 8:26:57 查看 阅读:14

W631GG8NB11I TR是一款由Winbond公司制造的高性能闪存存储器芯片。该芯片属于NAND型闪存,主要用于需要大量数据存储和快速访问的应用场景,例如嵌入式系统、移动设备和工业控制系统。W631GG8NB11I TR的封装形式适合表面贴装技术,便于在现代电子设备中集成。

参数

容量:8Gb
  封装类型:TSOP
  接口类型:ONFI 3.0
  工作电压:2.7V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  存储温度范围:-55°C至+125°C

特性

W631GG8NB11I TR具有高容量和高速访问的特点,适合于各种数据存储应用。该芯片支持ONFI 3.0接口标准,提供高达400MB/s的读取速度和160MB/s的写入速度,确保了快速的数据传输。此外,W631GG8NB11I TR具有良好的可靠性和耐用性,能够在广泛的温度范围内稳定工作。该芯片的NAND型闪存结构支持ECC(错误校正码)功能,可以检测和纠正数据错误,提高数据存储的可靠性。

应用

W631GG8NB11I TR广泛应用于需要大容量存储和高性能数据访问的设备中,如智能手机、平板电脑、数字相机和嵌入式系统。此外,它还适用于工业控制系统、汽车电子系统和网络设备等需要高可靠性和耐久性的应用场景。

替代型号

W631GG8NB11I TR的替代型号包括Micron的MT29F8G08ABADAH4和Samsung的K9WAG08U1A。

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W631GG8NB11I TR参数

  • 现有数量2,000现货
  • 价格1 : ¥39.51000剪切带(CT)2,000 : ¥28.23690卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织128M x 8
  • 存储器接口SSTL_15
  • 时钟频率933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-VFBGA
  • 供应商器件封装78-VFBGA(8x10.5)