IS46DR16160B-3DBLA2 是一颗由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于异步SRAM兼容型DRAM系列。该器件以高速度、低功耗和高可靠性著称,适用于需要高效数据存储和快速访问的应用场景。该芯片采用16位数据总线和16位地址总线,支持1M x 16的存储组织结构,并采用异步控制信号以兼容多种微处理器和控制器。
容量:1M x 16位
电源电压:3.3V
访问时间:3.5ns(最大)
封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
封装引脚数:54
时钟频率:异步操作,无固定时钟
数据宽度:16位
寻址方式:异步地址线(A0-A19)
控制信号:CE#(片选)、OE#(输出使能)、WE#(写使能)
封装尺寸:54-TSOP
最大功耗:约1.2W(典型值)
IS46DR16160B-3DBLA2 的核心优势在于其高速访问能力和低功耗设计。该芯片支持3.5ns的访问时间,使得其在需要快速数据存取的应用中表现出色。其异步接口设计使其兼容性强,适用于多种嵌入式系统、工业控制设备和通信设备。此外,该器件采用了先进的CMOS工艺制造,确保了在高频操作下的稳定性和低功耗表现。TSOP封装不仅提供了良好的散热性能,也适合高密度PCB布局,满足现代电子设备对空间和性能的双重要求。
该芯片的控制信号包括CE#(片选)、OE#(输出使能)和WE#(写使能),允许用户通过标准的异步总线协议进行读写操作。这种灵活性使得IS46DR16160B-3DBLA2 成为许多需要外部高速存储器的微控制器或FPGA系统中的理想选择。其工业级温度范围(-40°C至+85°C)确保了在恶劣环境下的稳定运行,广泛适用于工业自动化、车载系统和通信基础设施等领域。
IS46DR16160B-3DBLA2 主要应用于需要高速缓存和临时数据存储的电子系统中。典型应用包括嵌入式系统的外部存储器扩展、图像处理设备中的帧缓存、通信设备中的数据缓冲、工业控制设备中的程序和数据存储等。此外,该芯片也适用于测试设备、医疗电子设备和高性能计算模块等需要高速异步存储器的场合。其兼容性强、功耗低和可靠性高的特点,使其成为许多需要高稳定性和快速响应的应用场景中的首选存储器。
IS46DR16160B-3BLA2, IS46DR16320B-3DBLA2, CY62167EDL-45BVXI, IDT71V416S