LF10WBR-C 时间：2025/9/5 3:18:12 阅读：25

LF10WBR-C 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的工艺制造，具有较低的导通电阻和较高的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制等多种高功率电子系统。LF10WBR-C 采用紧凑的 TO-252（DPAK）封装，便于散热和安装。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：100V
　　连续漏极电流（Id）：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω @ Vgs=10V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

LF10WBR-C MOSFET 具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其导通电阻（Rds(on)）为 0.45Ω，在 Vgs=10V 的条件下，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。这使得该器件在高电流负载下仍能保持较低的温升，从而提高系统的稳定性和可靠性。
　　其次，该器件的漏极-源极电压额定值为 100V，连续漏极电流为 10A，适用于中高功率应用，如电源转换器、负载开关和电机控制。其栅极驱动电压范围宽广，支持高达 ±20V 的 Vgs，允许设计者灵活选择驱动电路，提高系统兼容性。
　　此外，LF10WBR-C 采用 TO-252（DPAK）封装，这种封装形式具有良好的散热性能，适用于表面贴装技术（SMT），便于在 PCB 上安装和批量生产。封装设计也增强了器件的热管理能力，使其在高功率操作时保持稳定性能。
　　最后，LF10WBR-C 的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，表明其在极端环境条件下仍能可靠运行，适用于工业控制、汽车电子等对温度适应性要求较高的应用场合。

应用

LF10WBR-C 广泛应用于多种高功率电子系统中。在电源管理领域，它常用于 DC-DC 转换器、同步整流器以及负载开关电路中，以实现高效的能量转换和管理。在电机控制方面，该 MOSFET 可作为功率开关，用于驱动直流电机或步进电机，提供稳定的电流控制。
　　此外，LF10WBR-C 还适用于电池管理系统（BMS）、逆变器和不间断电源（UPS）等设备中，用于实现高效率的功率控制。其高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于汽车电子系统，如车载充电器、车身控制模块和电动助力转向系统等。
　　由于其封装形式适合表面贴装，因此在自动化生产和 PCB 设计中具有良好的适配性，广泛应用于消费类电子、工业控制、通信设备等领域。