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LF10WBR-C 发布时间 时间:2025/9/5 3:18:12 查看 阅读:8

LF10WBR-C 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的工艺制造,具有较低的导通电阻和较高的热稳定性,适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制等多种高功率电子系统。LF10WBR-C 采用紧凑的 TO-252(DPAK)封装,便于散热和安装。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏极-源极电压(Vds):100V
  连续漏极电流(Id):10A
  导通电阻(Rds(on)):0.45Ω @ Vgs=10V
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装类型:TO-252(DPAK)

特性

LF10WBR-C MOSFET 具有多个关键特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其导通电阻(Rds(on))为 0.45Ω,在 Vgs=10V 的条件下,能够显著降低导通损耗,提高系统效率。这使得该器件在高电流负载下仍能保持较低的温升,从而提高系统的稳定性和可靠性。
  其次,该器件的漏极-源极电压额定值为 100V,连续漏极电流为 10A,适用于中高功率应用,如电源转换器、负载开关和电机控制。其栅极驱动电压范围宽广,支持高达 ±20V 的 Vgs,允许设计者灵活选择驱动电路,提高系统兼容性。
  此外,LF10WBR-C 采用 TO-252(DPAK)封装,这种封装形式具有良好的散热性能,适用于表面贴装技术(SMT),便于在 PCB 上安装和批量生产。封装设计也增强了器件的热管理能力,使其在高功率操作时保持稳定性能。
  最后,LF10WBR-C 的工作温度范围为 -55°C 至 175°C,表明其在极端环境条件下仍能可靠运行,适用于工业控制、汽车电子等对温度适应性要求较高的应用场合。

应用

LF10WBR-C 广泛应用于多种高功率电子系统中。在电源管理领域,它常用于 DC-DC 转换器、同步整流器以及负载开关电路中,以实现高效的能量转换和管理。在电机控制方面,该 MOSFET 可作为功率开关,用于驱动直流电机或步进电机,提供稳定的电流控制。
  此外,LF10WBR-C 还适用于电池管理系统(BMS)、逆变器和不间断电源(UPS)等设备中,用于实现高效率的功率控制。其高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于汽车电子系统,如车载充电器、车身控制模块和电动助力转向系统等。
  由于其封装形式适合表面贴装,因此在自动化生产和 PCB 设计中具有良好的适配性,广泛应用于消费类电子、工业控制、通信设备等领域。

替代型号

IRF540N, FDP10N10, STP10NK50Z, FQP10N10

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LF10WBR-C参数

  • 制造商Hirose Electric
  • 产品类型Accessories
  • 系列LF
  • 外壳大小10