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W631GG8KB-11 TR 发布时间 时间:2025/8/20 15:09:11 查看 阅读:10

W631GG8KB-11 TR 是 Winbond 公司生产的一款 NOR 闪存芯片,属于高性能、低功耗的存储器解决方案,广泛应用于嵌入式系统、工业控制、消费电子和通信设备等领域。该型号支持 1.8V 电源电压,适合用于需要低功耗、高性能存储的设备。W631GG8KB-11 TR 采用高性能的串行接口,支持多种操作模式,包括单线、双线、四线 SPI 模式,以及高速的 QPI 和 OPI 模式,提供灵活的接口选项。

参数

容量:1Gbit (128M x 8)
  电源电压:1.8V
  接口类型:Serial (SPI, QPI, OPI)
  读取频率:200MHz
  封装类型:WLCSP
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C

特性

W631GG8KB-11 TR 是一款高容量 NOR 闪存芯片,具有低功耗设计和高速读取能力。其核心特性之一是支持多种接口模式,包括标准 SPI、双线 SPI、四线 SPI(QPI)以及 OPI 模式,能够根据应用需求灵活调整数据传输速率和信号线数量,提高系统效率。该芯片的读取频率高达 200MHz,支持快速访问存储数据,适用于需要快速启动和执行代码的应用场景,如嵌入式系统中的 XIP(Execute In Place)功能。
  该芯片支持多种安全功能,包括软件和硬件写保护、一次性可编程(OTP)区域以及安全寄存器锁定功能,能够有效防止数据被非法篡改和非法访问。此外,W631GG8KB-11 TR 支持 JEDEC 标准的 ID 识别,便于系统在运行时识别和配置存储器。其采用的 WLCSP(晶圆级芯片封装)技术使得封装体积更小,适用于空间受限的应用场景,如智能手机、可穿戴设备等。
  为了提升系统稳定性,该芯片具备 ECC(错误校正码)功能,在数据读取过程中可以自动检测和纠正单比特错误,提升数据的可靠性和存储器的寿命。同时,该芯片支持多种省电模式,包括深度掉电模式和休眠模式,能够在不使用时最大限度地降低功耗,延长设备的电池续航时间。

应用

W631GG8KB-11 TR 适用于需要大容量、高速 NOR 闪存的嵌入式系统,如智能穿戴设备、移动电话、物联网设备、工业控制模块和车载电子系统。它也常用于需要快速启动和执行代码的应用场景,例如 Bootloader 存储和操作系统镜像的存储。由于其低功耗特性和多种安全保护机制,W631GG8KB-11 TR 也广泛应用于对数据安全性要求较高的智能卡、安全模块和金融终端设备。

替代型号

W25Q128JV-11 TR, IS25LP128D-11 TR

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W631GG8KB-11 TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织128M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-TFBGA
  • 供应商器件封装78-WBGA(10.5x8)