时间：2025/7/4 6:01:04
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R1180D291B-TR-FA 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 N 沟道增强型器件。该元器件主要用于开关和功率转换应用，具有低导通电阻和高开关速度的特点。其封装形式为 TO-263 (D2PAK)，适合高电流密度和散热需求的应用场景。
该型号特别适用于工业、汽车和消费电子领域中的 DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：50A
导通电阻：2.2mΩ
栅极电荷：120nC
总功耗：200W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
R1180D291B-TR-FA 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻，能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流能力，可满足大功率应用场景的需求。
3. 快速开关性能，支持高频操作，减少电磁干扰 (EMI) 和热损耗。
4. 具备出色的热稳定性和可靠性，能够在极端温度条件下长期运行。
5. 封装设计优化了散热性能，使其非常适合要求严苛的电力电子设备。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代化电路设计中。
该芯片广泛应用于各种电力电子设备中，具体包括：
1. 开关电源 (SMPS) 中的主功率开关。
2. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电池管理系统及电机控制器。
3. 工业自动化设备中的负载开关和电源管理模块。
4. 高效 DC-DC 转换器的设计。
5. 大功率 LED 驱动器以及光伏逆变器中的关键组件。
6. 各类消费电子产品中的功率调节与保护电路。
R1180D291B-TR-GA, IRF291B
