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W3DG727V-D2 发布时间 时间:2025/3/28 9:02:08 查看 阅读:9

W3DG727V-D2是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件具有低导通电阻、高耐压特性和快速开关速度的特点,能够显著提高效率并减少能量损耗。
  该型号属于N沟道增强型MOSFET,广泛适用于消费电子、工业控制以及通信设备等场景。

参数

最大漏源电压:700V
  连续漏极电流:7.2A
  导通电阻:0.95Ω
  栅极电荷:46nC
  输入电容:1360pF
  工作结温范围:-55℃ to +150℃

特性

1. 高耐压能力:高达700V的最大漏源电压使其适合各种高压应用场景。
  2. 低导通电阻:仅为0.95Ω的导通电阻可以有效降低功率损耗。
  3. 快速开关特性:较小的栅极电荷使得该器件具备更快的开关速度,从而提升整体系统效率。
  4. 宽温度范围支持:能够在极端温度条件下正常运行,适应性强。
  5. 强大的抗浪涌能力:设计中充分考虑了实际应用中的瞬态电压问题,增强了产品的可靠性。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. 电机驱动电路
  3. 工业自动化设备中的电源转换模块
  4. 电动工具及家用电器中的高压开关
  5. 光伏逆变器以及其他新能源相关产品
  6. 各类保护电路如过流保护和短路保护

替代型号

W3DG727V-D3, IRF840, STP70NF7

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