时间：2025/3/28 9:02:08
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W3DG727V-D2是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件具有低导通电阻、高耐压特性和快速开关速度的特点，能够显著提高效率并减少能量损耗。
该型号属于N沟道增强型MOSFET，广泛适用于消费电子、工业控制以及通信设备等场景。
最大漏源电压：700V
连续漏极电流：7.2A
导通电阻：0.95Ω
栅极电荷：46nC
输入电容：1360pF
工作结温范围：-55℃ to +150℃
1. 高耐压能力：高达700V的最大漏源电压使其适合各种高压应用场景。
2. 低导通电阻：仅为0.95Ω的导通电阻可以有效降低功率损耗。
3. 快速开关特性：较小的栅极电荷使得该器件具备更快的开关速度，从而提升整体系统效率。
4. 宽温度范围支持：能够在极端温度条件下正常运行，适应性强。
5. 强大的抗浪涌能力：设计中充分考虑了实际应用中的瞬态电压问题，增强了产品的可靠性。
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动电路
3. 工业自动化设备中的电源转换模块
4. 电动工具及家用电器中的高压开关
5. 光伏逆变器以及其他新能源相关产品
6. 各类保护电路如过流保护和短路保护
W3DG727V-D3, IRF840, STP70NF7
