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MMBD101LT1G 发布时间 时间:2023/4/6 11:34:26 查看 阅读:401

MMBD101LT1G参数

目录

概述

反向重复峰值电压VRRM(max)(V):7

平均整流器前向电流IO(max)(A):0.010

瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.6/0.01A

非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):-

瞬间反转电流IR(max)(mA):0.25/3.0V

封装/温度(℃):3SOT-23/-55~150

资料

厂商
ON Semiconductor

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MMBD101LT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭RF 二极管
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基 - 单
  • 电压 - 峰值反向(最大)7V
  • 电流 - 最大-
  • 电容@ Vr, F1pF @ 0V,1MHz
  • 电阻@ Vr, F-
  • 功率耗散(最大)225mW
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MMBD101LT1GOSMMBD101LT1GOS-NDMMBD101LT1GOSTR