时间：2023/4/6 11:34:26
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MMBD101LT1G参数
反向重复峰值电压VRRM(max)(V)：7
平均整流器前向电流IO(max)(A)：0.010
瞬间前向电压VF(max)@IF(V)：0.6/0.01A
非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A)：－
瞬间反转电流IR(max)(mA)：0.25/3.0V
封装/温度(℃)：3SOT-23/-55~150
| 厂商 |
|---|
| ON Semiconductor |
