W29GL128DH9T 是 Spansion(后被 Cypress Semiconductor 收购,现为 Infineon Technologies)推出的一款高性能、低功耗的 NOR 闪存芯片,容量为 128Mbit(16MB),适用于需要快速随机访问和高可靠性的应用领域。该器件采用 90nm 工艺制造,支持多种高级功能,包括扇区保护、低功耗模式和高速读写操作。
容量:128Mbit
组织结构:16MB(x8/x16)
电源电压:2.3V - 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C(工业级)
封装形式:TSOP(56引脚)
访问时间:70ns(最大)
写入周期时间:1ms(典型)
擦除时间:25ms(典型)
输入/输出接口:并行异步接口
支持的操作模式:读取、写入、擦除、块保护、休眠模式
W29GL128DH9T 的设计旨在满足高性能嵌入式系统对非易失性存储器的需求。该芯片支持 x8 或 x16 数据宽度配置,具备灵活的读写操作能力,适用于代码存储、数据日志记录以及固件更新等应用场景。
其内置的扇区保护功能允许用户单独锁定某些扇区以防止误写入或擦除,增强了系统的数据安全性。该器件支持多种擦除和写入操作命令,包括批量擦除、按扇区擦除、按字节写入等,提供高度灵活的存储管理能力。
此外,W29GL128DH9T 支持低功耗模式,包括待机模式和深度休眠模式,适用于电池供电或对功耗敏感的应用环境。其读取访问时间低至 70ns,能够满足高速数据访问的需求。
该芯片的封装形式为 56 引脚 TSOP,符合工业级温度范围要求(-40°C 至 +85°C),适用于工业自动化、通信设备、汽车电子和消费类电子产品等多种应用领域。
W29GL128DH9T 适用于多种需要非易失性存储器的嵌入式系统,如路由器、交换机、工控设备、汽车导航系统、数码相机、手持终端设备以及各种需要固件存储和数据记录的系统。其高速读取能力、灵活的擦写控制以及扇区保护机制使其成为代码存储和关键数据存储的理想选择。
S29GL128S90TF103, MX29GL128EHI04G, AM29GL128HEHIxB12