LDTB113EET1G 时间：2025/8/13 4:53:07 阅读：32

LDTB113EET1G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款双极型晶体管（BJT），属于 NPN 类型的晶体管。该晶体管设计用于通用放大和开关应用，具有良好的性能和稳定性，适用于各种电子电路设计。LDTB113EET1G 采用 SOT-23 封装，适合表面贴装技术（SMT）应用，广泛用于消费类电子产品、工业控制和汽车电子等领域。

参数

晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：100V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：在 2mA 时为 110 至 800（根据等级不同）

特性

LDTB113EET1G 晶体管具有以下几个显著特性：
　　首先，它具有较高的电流增益（hFE），范围在 110 到 800 之间，具体取决于等级划分，这使得它能够在放大电路中提供良好的信号增强效果。
　　其次，该晶体管的工作频率较高，增益带宽积达到 100MHz，适用于中高频放大应用，能够满足射频（RF）和高速开关电路的需求。
　　再者，LDTB113EET1G 的最大集电极-发射极电压为 100V，能够在较高电压环境下稳定工作，增强了其在电源开关和高压控制电路中的适用性。
　　此外，该晶体管的封装形式为 SOT-23，这是一种小型表面贴装封装，适合高密度 PCB 设计，同时具备良好的热性能和机械稳定性。
　　最后，LDTB113EET1G 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，具备良好的环境适应性，适用于工业级和汽车电子等要求较高的应用场景。

应用

LDTB113EET1G 晶体管广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　在消费类电子产品中，如音频放大器、逻辑电平转换、LED 驱动电路等，利用其高增益特性可以实现信号的高效放大。
　　在工业控制领域，该晶体管常用于继电器驱动、传感器信号放大、电机控制等场合，其高电压耐受能力和稳定性确保了系统在复杂环境下的可靠运行。
　　在汽车电子系统中，LDTB113EET1G 可用于车载音响、仪表盘控制、灯光控制等应用，满足汽车环境对温度和可靠性的严苛要求。
　　此外，该晶体管也可用于电源管理电路，如 DC-DC 转换器中的开关元件，提高电源转换效率。
　　在通信设备中，LDTB113EET1G 可用于射频信号放大和调制解调电路，支持中高频信号的处理需求。