类型：CMOS SDRAM
　　密度：64Mbit（4M x 16位）
　　电压：3.3V ± 0.3V
　　工作温度：0°C 至 +70°C
　　封装：54-pin TSOP Type II
　　访问时间：最大50ns
　　时钟频率：最高可达166MHz
　　组织结构：4 banks x 1024 rows x 512 columns x 16 bits
　　数据宽度：16位
　　刷新周期：64ms / 8192行 = 约7.8μs
　　CAS等待时间：可配置为2或3个时钟周期
　　突发长度：支持1、2、4、8及全页模式
　　突发类型：顺序或交错模式可选

K4E641612E-TP50具有多项关键特性，使其适用于高性能、中等复杂度的嵌入式系统环境。首先，该芯片采用4Bank架构设计，每个Bank独立寻址，支持交替操作，显著提升了整体的数据访问效率和带宽利用率。这种多Bank机制允许在一个Bank执行预充电的同时，另一个Bank进行激活或读写操作，从而减少等待时间并提高连续数据传输速率。
　　其次，该器件支持多种突发长度模式（1、2、4、8和整页），用户可根据具体应用场景灵活配置，优化系统性能。例如，在图像处理或批量数据传输中使用长突发模式可以极大降低地址切换开销；而在随机访问频繁的小数据量操作中，则可选择短突发以提升响应速度。
　　此外，K4E641612E-TP50集成了自动刷新和自刷新功能，确保在不同工作状态下都能维持数据完整性。自动刷新由外部控制器定期触发，适合正常运行期间使用；而自刷新模式则可在系统进入低功耗待机状态时启用，大幅降低功耗，延长电池供电设备的续航时间。
　　该芯片还具备低功耗特性，典型工作电流仅为几十毫安级别，并支持掉电模式以进一步节能。其3.3V供电设计符合当时主流I/O接口标准，便于与多种微处理器、FPGA及ASIC直接连接，无需额外电平转换电路。
　　最后，K4E641612E-TP50具备良好的抗干扰能力和信号完整性，TSOP封装提供稳定的引脚布局和较短的内部走线，有助于减少寄生电感和电容效应，提升高频工作的稳定性。这些综合特性使得该芯片在工业自动化、路由器、打印机、医疗设备等领域中表现出色。

K4E641612E-TP50主要应用于对内存容量和速度有一定要求但又不需要DDR级别性能的中端嵌入式系统中。典型应用包括网络基础设施设备，如以太网交换机、路由器和防火墙，其中该芯片用于缓存数据包、存储路由表或临时存放协议处理中的中间数据。由于其可靠的读写性能和较低延迟，特别适合处理突发性高流量的数据交换任务。
　　在工业控制系统中，该芯片常被用作PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端或运动控制卡的主存或缓冲存储器，支持实时数据采集与指令执行。其宽温范围虽未覆盖扩展工业级，但在常规工业环境下仍能稳定运行。
　　消费类电子产品方面，K4E641612E-TP50曾广泛用于多功能打印机、扫描仪、数码复印机等办公设备中，承担图像缓存和页面渲染任务。其16位数据宽度能够有效支持中分辨率图形数据的快速读写。
　　此外，该芯片也被用于某些早期的多媒体播放器、POS终端、测试测量仪器以及基于FPGA的原型开发平台中，作为协处理器或外设模块的配套存储资源。尽管当前新型设计更多转向DDR SDRAM或LPDDR系列，但K4E641612E-TP50仍在许多维护和替换需求中保持重要地位。

K4S641632N-TC75
　　IS42S16100D-5BLI