容量：1 Mbit
　　组织结构：128 K x 8位
　　电源电压：3.3V或5V
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
　　访问时间：90ns
　　读取电流：典型值5 mA
　　待机电流：最大10 μA
　　编程/擦除电压：内部电荷泵提供高压

W29E011P-90 NOR Flash芯片具有多种显著特性，使其适用于嵌入式系统的代码存储和数据存储应用。首先，它提供了快速的读取访问时间，达到90ns，确保微处理器或控制器能够高效地读取存储的程序代码，从而提高系统性能。芯片支持3.3V和5V的电源电压选项，增加了其在不同系统设计中的灵活性。
　　此外，W29E011P-90采用了低功耗设计，待机电流仅为最大10 μA，非常适合需要节能的应用场景。该芯片的耐用性也值得称道，擦写周期可达到100,000次以上，确保长期使用中的可靠性。
　　W29E011P-90的另一个重要特性是其数据保留能力，即使在断电情况下，存储的数据也可以保持长达10年不变。这使得它特别适用于需要长期保存关键程序或数据的系统。芯片还集成了硬件数据保护机制，防止意外擦除或写入操作，增强了数据的安全性。
　　封装方面，W29E011P-90采用TSOP（薄型小外形封装）形式，体积小巧，适合空间受限的设计。同时，其工业级工作温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在恶劣的环境条件下稳定运行，满足工业、汽车等领域的需求。

W29E011P-90 NOR Flash芯片广泛应用于需要非易失性存储解决方案的嵌入式系统中。例如，它可以用于存储启动代码（如BIOS或Bootloader）、固件更新、小型操作系统以及关键数据。典型的应用场景包括工业控制系统、网络设备、汽车电子系统、消费电子产品（如机顶盒、打印机）和医疗设备等。在这些应用中，W29E011P-90提供了高可靠性和稳定性，确保系统在各种环境下都能正常运行。由于其低功耗特性和快速读取性能，该芯片也常用于便携式设备和需要节能设计的系统中。

AM29F010B-90, M29F010B-90N1