类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：5.6A（@25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：28mΩ（@Vgs=10V）
　　阈值电压(Vgs(th))：0.8V ~ 2.5V
　　功率耗散(Pd)：2.5W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装：SOT-223

AP3N028EY-HF采用了先进的Trench沟槽技术，具备非常低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。其28mΩ的Rds(on)在10V栅极驱动条件下表现尤为出色，使得该器件适用于高电流、低电压的应用场景。
　　此外，AP3N028EY-HF具有高开关速度的特性，使其在高频开关应用中表现出色，如DC-DC降压/升压转换器和同步整流器。其快速的开关特性有助于减小外部滤波元件的尺寸，从而实现更紧凑的设计。
　　该MOSFET采用SOT-223封装，具有良好的热传导性能，能够在较高环境温度下稳定工作。这种封装形式在PCB上占用空间小，适合用于高密度电路板设计。
　　AP3N028EY-HF还具备良好的抗雪崩击穿能力，确保在突发负载或电压尖峰情况下仍能保持稳定运行。其±20V的栅极电压耐受能力也提高了器件在复杂电路环境中的可靠性。

AP3N028EY-HF广泛应用于各类电源管理电路中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统。由于其低导通电阻和高开关速度的特性，特别适合用于高效率、高频率的电源转换器中，如笔记本电脑、移动电源、无线充电设备和LED照明驱动电路。
　　此外，该器件也可用于电机控制、电源管理IC（PMIC）外围电路、智能电表、工业自动化设备和嵌入式系统中的功率开关部分。其优异的热性能和小尺寸封装使其成为便携式电子产品和高密度电源模块的理想选择。

Si2302DS, AO3400A, FDS6680, NTD14N03RT