时间：2025/8/2 8:25:54
阅读：30
AON6278是一款由Alpha and Omega Semiconductor（AOS）生产的高性能N沟道MOSFET，采用先进的Trench技术，提供优异的导通电阻和开关性能。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等高效率、高频场景中。AON6278封装为DFN5x6，符合RoHS环保标准，适合现代电子设备对小型化和高效能的需求。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：100A（在TC=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：3.2mΩ（典型值，VGS=10V）
阈值电压（VGS(th)）：1.6V至2.4V
功率耗散（PD）：130W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：DFN5x6
AON6278采用先进的Trench沟槽技术，使其在低电压应用中具备极低的导通电阻和出色的开关性能。该器件在RDS(on)方面表现出色，仅为3.2mΩ，降低了导通损耗，提高了系统效率。其高电流能力（100A）和较低的热阻使其适用于高功率密度设计。
此外，AON6278具有出色的雪崩能量耐受能力，提高了器件在高压瞬态条件下的可靠性。其封装采用DFN5x6无铅封装，不仅减小了PCB占用空间，还提供了良好的热管理性能，适用于高密度电源设计。
该MOSFET还具备良好的栅极氧化层稳定性，能够承受高达±20V的栅源电压，确保在复杂工作环境下的稳定运行。其阈值电压范围为1.6V至2.4V，适用于多种驱动电路设计，尤其适合与常见的逻辑电平驱动器配合使用。
AON6278常用于各类电源管理系统中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及电机驱动电路等。其高效率和高电流能力使其成为服务器电源、通信设备、工业自动化系统以及电动车充电模块等高性能应用中的理想选择。此外，由于其优异的热性能和封装优势，AON6278也广泛应用于便携式设备和高密度电源模块中。
SiR142DP, NexFET CSD17551Q5A, IPB013N03LG
