容量：32Mbit
　　电压范围：2.3V至3.6V
　　接口类型：SPI
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装类型：8-Pin SOIC
　　读取频率：最大支持80MHz
　　编程/擦除电压：内部电荷泵提供高压
　　擦除块大小：4KB、32KB、64KB和全片擦除
　　写保护功能：软件和硬件写保护
　　JEDEC标准：符合JEDEC SFDP标准
　　数据保持时间：20年
　　编程/擦除周期：10万次

W25Q32FVS1G具备多项先进的功能和优势，使其在多种应用场景中表现出色。首先，其低功耗设计使其非常适合电池供电设备和对能耗敏感的应用。在正常工作模式下，电流消耗较低，而在待机或休眠模式下，功耗进一步降低。其次，W25Q32FVS1G支持高速SPI接口，能够实现高达80MHz的时钟频率，提供快速的数据读取和写入能力，满足对性能有要求的应用需求。此外，该芯片集成了多种存储保护机制，包括软件写保护和硬件写保护，可防止意外的数据修改或擦除，提高数据的可靠性和安全性。W25Q32FVS1G还支持多种擦除操作模式，包括4KB、32KB、64KB的小块擦除以及全片擦除，提供灵活的数据管理方式。其符合JEDEC SFDP（Serial Flash Discoverable Parameters）标准，便于系统识别和配置。W25Q32FVS1G的擦写寿命可达10万次，数据保持时间长达20年，具备较高的耐用性和长期稳定性。

W25Q32FVS1G广泛应用于需要中等容量非易失性存储器的各类电子设备中。常见的应用包括微控制器系统的程序存储、固件存储、配置数据存储、日志记录、图形存储等。它也适用于工业自动化设备、智能家电、物联网设备、车载电子系统以及手持式测量仪器等场景。在这些应用中，W25Q32FVS1G能够提供可靠的存储解决方案，并通过其低功耗和高速性能提升整体系统效率。

W25Q32JV1G, W25X32VS1G