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IRF8915 发布时间 时间:2025/6/5 10:34:30 查看 阅读:31

IRF8915 是一款 N 沣道沟道功率场效应晶体管(MOSFET),由 Vishay 公司生产。该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装,广泛用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和其他需要高效功率开关的应用中。
  IRF8915 的设计目标是提供低导通电阻和高效率的功率转换解决方案。其出色的电气性能使其在高频开关应用中表现尤为突出。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:17A
  栅极阈值电压:2V 至 4V
  导通电阻:22mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  总功耗:165W
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃

特性

IRF8915 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),确保了高效的功率传输并减少了热损耗。
  2. 快速开关能力,适合高频应用。
  3. 较高的连续漏极电流能力(17A),使其能够胜任高负载需求。
  4. 提供了可靠的电气隔离,增强了系统的稳定性和安全性。
  5. 小型化的 TO-252 (DPAK) 封装形式,简化了 PCB 布局设计,同时节省空间。
  6. 支持宽温度范围操作,适应各种恶劣环境条件。

应用

IRF8915 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电池管理系统
  4. 电机驱动电路
  5. LED 驱动器
  6. 各类工业控制设备中的功率级开关
  7. 消费电子产品的功率管理模块

替代型号

IRF840, IRFZ44N, FDP5570N

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IRF8915参数

  • 标准包装95
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列HEXFET®
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C18.3 毫欧 @ 8.9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs7.4nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds540pF @ 10V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF8915