输出电压：3.3V
　　输入电压范围：2.7V 至 6.0V
　　输出电流：300mA
　　压差电压：典型值 280mV（在满载时）
　　静态电流：典型值 70μA
　　电源抑制比（PSRR）：70dB@1kHz
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：SOT-23-6

SGM815-3.3XN6G/TR 采用先进的 CMOS 工艺制造，具备低静态电流和低压差的特性，使其在电池供电系统中尤为高效。该器件的输出电压具有高精度调节能力，典型精度为 ±2%。其内部集成过温保护（OTP）和过流保护（OCP）电路，确保在各种工作条件下的稳定性和可靠性。
　　该 LDO 的高电源抑制比（PSRR）可有效抑制输入电源中的噪声，提供干净的输出电压，适用于对噪声敏感的模拟和射频电路。此外，SGM815 系列提供多种固定电压版本，便于用户根据不同的应用需求选择合适的产品型号。
　　SGM815-3.3XN6G/TR 采用 SOT-23-6 小型封装，节省 PCB 空间，适用于空间受限的便携式电子设备。该器件在设计上优化了瞬态响应性能，能够在负载电流快速变化时保持输出电压的稳定。

SGM815-3.3XN6G/TR 广泛应用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、手持仪表等，作为主控芯片、传感器或射频模块的电源管理单元。它也适用于工业控制系统中的低功耗传感器节点、数据采集模块以及电池管理系统。此外，该 LDO 还可用于为 MCU、ADC/DAC、WiFi 或蓝牙模块提供稳定的 3.3V 电源，确保系统运行的稳定性和可靠性。
　　在医疗设备、安防监控系统以及物联网（IoT）设备中，SGM815-3.3XN6G/TR 也能提供高精度、低噪声的电压调节，满足高性能系统对电源质量的严格要求。

LM1117-3.3, AP2112K-3.3, XC6206P332MR, TPS73633