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W25Q256JVCIM TR 发布时间 时间:2025/8/21 17:43:05 查看 阅读:3

W25Q256JVCIM TR是一款由Winbond公司生产的串行闪存存储器芯片,属于其高性能、低功耗的SpiFlash存储器系列。该芯片容量为256Mbit(即32MB),采用标准的SPI(Serial Peripheral Interface)、Dual SPI和Quad SPI接口协议,适用于需要大容量非易失性存储器的应用场景。W25Q256JVCIM TR采用8引脚的SOIC封装,工作温度范围为工业级-40℃至+85℃,适合在各种严苛环境下使用。

参数

容量:256Mbit(32MB)
  接口类型:SPI、Dual SPI、Quad SPI
  工作电压:2.7V至3.6V
  工作温度范围:-40℃至+85℃
  封装类型:8引脚SOIC
  读取频率:最高可达104MHz(Quad SPI模式)
  编程/擦除电压:3V
  存储单元耐久性:10万次擦写周期
  数据保存时间:20年

特性

W25Q256JVCIM TR具备多种高性能特性,使其在各类嵌入式系统中表现出色。首先,其支持高速Quad SPI接口,数据传输速率可达到104MHz,显著提升系统性能。该芯片支持多种操作模式,包括标准SPI、Dual SPI和Quad SPI,用户可以根据具体应用需求选择合适的接口模式以优化数据传输效率。
  此外,W25Q256JVCIM TR具备低功耗设计,支持多种节能模式,如掉电模式和休眠模式,适用于电池供电或对功耗敏感的应用。芯片内部集成了页编程(Page Program)和扇区擦除(Sector Erase)功能,支持灵活的存储管理,用户可以按需进行数据更新和擦除操作。
  为了提高数据可靠性,该芯片还内置了错误校正码(ECC)支持和写保护功能,防止误操作导致的数据损坏。此外,W25Q256JVCIM TR支持JEDEC标准的制造商和设备ID识别,便于系统识别和兼容性管理。
  最后,该芯片具有较高的耐用性和数据保持能力,支持10万次以上的擦写周期,并可保持数据长达20年,适用于长期数据存储和频繁更新的应用场景。

应用

W25Q256JVCIM TR广泛应用于需要大容量非易失性存储器的嵌入式系统中,例如工业控制系统、物联网(IoT)设备、网络通信设备、消费电子产品(如智能手表、智能音响)以及车载电子系统等。其高速接口和低功耗特性使其非常适合用于固件存储、数据日志记录、图形存储和安全启动等场景。

替代型号

ISSI: IS25LP256D
  Cypress: S25FL256LA
  Micron: N25Q256A
  Winbond: W25Q256JVFIQ

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W25Q256JVCIM TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列SpiFlash?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量256Mb
  • 存储器组织32M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O
  • 时钟频率133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页3ms
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳24-TBGA
  • 供应商器件封装24-TFBGA(6x8)