IRF7831TRPBF是一款由Infineon(英飞凌)生产的N沟道MOSFET功率晶体管,采用PowerTrench技术制造。该器件专为高效率、低损耗的应用设计,适用于消费电子和工业设备中的开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等场景。
IRF7831TRPBF属于OptiMOS系列,具有极低的导通电阻和快速开关速度,能够显著提高系统的整体效率并降低热耗散。其封装形式为TO-252(DPAK),支持表面贴装工艺,便于自动化生产和高效散热。
型号:IRF7831TRPBF
品牌:Infineon
类型:N沟道增强型MOSFET
VDS(漏源电压):40V
RDS(on)(导通电阻):1.9mΩ(典型值,@ VGS=10V)
ID(连续漏极电流):52A
PD(总功耗):115W
f(max)(最大工作频率):2MHz
封装:TO-252(DPAK)
结温范围:-55℃至+175℃
IRF7831TRPBF的主要特点是低导通电阻和高电流承载能力。其RDS(on)仅为1.9mΩ(在VGS=10V时),这使得它非常适合于需要高效率和低损耗的应用环境。
此外,该器件具备出色的开关性能,拥有较低的栅极电荷(Qg)和输出电荷(Qoss),从而有助于减少开关损耗。
得益于其TO-252封装设计,IRF7831TRPBF还提供了良好的热管理和机械稳定性,使其成为表面贴装应用的理想选择。
此产品符合RoHS标准,并且支持无铅焊接工艺。
IRF7831TRPBF广泛应用于各种电力电子系统中,包括但不限于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)的设计,例如笔记本适配器、充电器以及分布式电源系统。
2. DC-DC转换器,用于汽车电子、通信设备和工业控制。
3. 电机驱动电路,涵盖从小型风扇到大型伺服系统的多种应用场景。
4. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
5. 各类负载切换和保护电路。
凭借其优异的电气特性和可靠性,IRF7831TRPBF成为众多工程师首选的功率开关解决方案之一。
IRF7832TRPBF, IRF7833TRPBF