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IRF7831TRPBF 发布时间 时间:2025/5/29 20:41:21 查看 阅读:9

IRF7831TRPBF是一款由Infineon(英飞凌)生产的N沟道MOSFET功率晶体管,采用PowerTrench技术制造。该器件专为高效率、低损耗的应用设计,适用于消费电子和工业设备中的开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等场景。
  IRF7831TRPBF属于OptiMOS系列,具有极低的导通电阻和快速开关速度,能够显著提高系统的整体效率并降低热耗散。其封装形式为TO-252(DPAK),支持表面贴装工艺,便于自动化生产和高效散热。

参数

型号:IRF7831TRPBF
  品牌:Infineon
  类型:N沟道增强型MOSFET
  VDS(漏源电压):40V
  RDS(on)(导通电阻):1.9mΩ(典型值,@ VGS=10V)
  ID(连续漏极电流):52A
  PD(总功耗):115W
  f(max)(最大工作频率):2MHz
  封装:TO-252(DPAK)
  结温范围:-55℃至+175℃

特性

IRF7831TRPBF的主要特点是低导通电阻和高电流承载能力。其RDS(on)仅为1.9mΩ(在VGS=10V时),这使得它非常适合于需要高效率和低损耗的应用环境。
  此外,该器件具备出色的开关性能,拥有较低的栅极电荷(Qg)和输出电荷(Qoss),从而有助于减少开关损耗。
  得益于其TO-252封装设计,IRF7831TRPBF还提供了良好的热管理和机械稳定性,使其成为表面贴装应用的理想选择。
  此产品符合RoHS标准,并且支持无铅焊接工艺。

应用

IRF7831TRPBF广泛应用于各种电力电子系统中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)的设计,例如笔记本适配器、充电器以及分布式电源系统。
  2. DC-DC转换器,用于汽车电子、通信设备和工业控制。
  3. 电机驱动电路,涵盖从小型风扇到大型伺服系统的多种应用场景。
  4. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
  5. 各类负载切换和保护电路。
  凭借其优异的电气特性和可靠性,IRF7831TRPBF成为众多工程师首选的功率开关解决方案之一。

替代型号

IRF7832TRPBF, IRF7833TRPBF

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IRF7831TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C21A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.6 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.35V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs60nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds6240pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7831PBFTR