容量：2Mbit (256K x 8)
　　接口类型：SPI
　　工作电压：1.65V - 3.6V
　　最大时钟频率：80MHz
　　读取速度：80MHz
　　编程/擦除电压：内部电荷泵
　　封装类型：SOIC
　　封装尺寸：208mil
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

W25Q21EWSNAG 是一款功能强大的串行闪存芯片，具有多种先进的特性和性能优势。首先，它的低功耗设计使其非常适合电池供电设备和其他对功耗敏感的应用。该芯片支持多种低功耗模式，包括待机模式和深度掉电模式，可以在不需要操作时显著降低功耗。
　　其次，W25Q21EWSNAG 提供了灵活的存储管理功能，支持块锁定和软件写保护，可以有效防止意外数据修改，提高数据安全性。此外，它还支持多个擦除命令，包括扇区擦除、块擦除和全片擦除，能够满足不同的数据管理需求。
　　该芯片的高性能特性体现在其快速的读写速度上。通过支持单线、双线和四线 SPI 模式，W25Q21EWSNAG 能够实现高速数据传输，提高系统响应速度。其最大时钟频率可达 80MHz，读取速度也非常高效。
　　在可靠性方面，W25Q21EWSNAG 采用了高质量的制造工艺，确保了芯片的稳定性和耐用性。它支持超过 100,000 次的编程/擦除周期，数据保存时间可达 20 年以上。此外，该芯片还具备较强的抗干扰能力，能够在复杂的工作环境中保持稳定运行。
　　最后，W25Q21EWSNAG 的封装尺寸为 208mil 的 SOIC 封装，适用于各种紧凑型设计，并且符合 RoHS 环保标准，适合广泛应用。

W25Q21EWSNAG 广泛应用于多个领域，特别是在需要高性能和低功耗存储解决方案的场合。例如，它可以用于嵌入式系统的代码存储，确保设备在启动时能够快速加载操作系统和应用程序。在消费电子产品中，W25Q21EWSNAG 可用于存储固件、配置数据和用户设置，提高设备的可靠性和用户体验。此外，该芯片还适用于工业控制系统、通信设备和汽车电子系统，满足这些领域对数据存储的高要求。

W25Q21JVSNAG, W25Q21JVUXAG