LN2306 时间：2025/8/14 2:33:15 阅读：21

LN2306 是一款常见的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等电路中。该器件采用TO-220或TO-263（SMD）封装形式，具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够提供较高的电流承载能力和较高的效率。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：16A（在25°C下）
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.026Ω（典型值，Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：47W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-220、TO-263等

特性

LN2306的主要特性包括低导通电阻，有助于降低导通损耗并提高系统效率；具备较高的电流处理能力，适用于中高功率应用；其快速开关特性可支持高频工作，适用于DC-DC变换器等需要快速响应的电路；此外，LN2306具有良好的热稳定性，能在较高温度下稳定运行。
　　该MOSFET采用先进的平面技术制造，具有出色的耐用性和可靠性。其栅极驱动电压范围较宽，在4.5V至20V之间均可有效工作，适用于多种控制电路设计。同时，该器件具备良好的抗静电能力，提升了在实际应用中的安全性。
　　由于其封装形式多样，LN2306既可以用于通孔焊接（TO-220），也可用于表面贴装（TO-263），满足不同电路板设计的需求。此外，该器件具有良好的热传导性能，便于散热设计，从而提升整体系统的稳定性。