时间：2025/12/26 2:43:37
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SCDS5D28NT331是一款由Vishay Semiconductors生产的表面贴装硅碳化物（SiC）肖特基二极管，专为高效率、高频率的功率转换应用而设计。该器件采用先进的碳化物半导体技术，具有极低的正向压降和几乎为零的反向恢复电荷，使其在开关电源、PFC电路以及逆变器等高要求环境中表现出色。其封装形式为TO-252（DPAK），具备良好的热性能和机械稳定性，适用于需要紧凑设计且对散热有较高要求的应用场景。SCDS5D28NT331能够在高温环境下稳定工作，结温可达175°C，适合工业级与汽车级应用。此外，该器件无反向恢复电流，可显著降低开关损耗并减少电磁干扰（EMI），从而提高系统整体效率。由于其优异的动态性能和可靠性，SCDS5D28NT331被广泛应用于新能源汽车充电桩、太阳能逆变器、服务器电源及工业电机驱动等领域。
作为一款650V额定电压、5A平均正向电流的SiC肖特基二极管，SCDS5D28NT331相较于传统硅基PIN二极管，在能效提升和体积缩小方面具有明显优势。它不仅能够承受较高的dv/dt应力，还具备出色的抗浪涌能力，增强了系统的鲁棒性。该器件符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101认证，确保其在严苛环境下的长期可靠运行。
类型：SiC肖特基二极管
最大重复峰值反向电压（VRRM）：650V
平均正向整流电流（IF(AV)）：5A
峰值非重复浪涌电流（IFSM）：50A
正向压降（VF）：典型值1.55V @ 5A, 25°C
漏电流（IR）：最大值200μA @ 650V, 25°C
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
封装/包装：TO-252 (DPAK)
安装类型：表面贴装
反向恢复时间（trr）：~0ns（无反向恢复）
热阻（RθJC）：典型值3.5°C/W
SCDS5D28NT331的核心优势在于其基于碳化物材料的物理特性所带来的卓越电学表现。首先，该器件没有少数载流子存储效应，因此不存在传统硅二极管中的反向恢复现象，这意味着在高频开关过程中不会产生反向恢复电流尖峰，从而大幅降低了开关损耗和噪声干扰。这一特性对于提高DC-DC转换器、图腾柱PFC拓扑以及ZVS/ZCS软开关电路的效率至关重要。其次，其较低的正向导通压降（仅约1.55V）意味着在大电流导通状态下功耗更低，有助于提升电源系统的整体能效，尤其在满载或重载条件下效果更为明显。
该器件具备优异的高温工作能力，可在高达175°C的结温下持续运行，这使得它非常适合用于密闭空间内散热受限的应用，如车载OBC（车载充电机）或风冷条件有限的工业电源模块。同时，其封装结构经过优化，提供了良好的热传导路径，配合PCB上的散热焊盘可有效将热量传递至外部环境。此外，TO-252封装便于自动化贴片生产，提高了制造效率与一致性。
SCDS5D28NT331还具备出色的抗浪涌能力和高dv/dt耐受性，能够在瞬态过压或负载突变情况下保持稳定工作，增强了系统的安全性和可靠性。器件符合AEC-Q101车规级可靠性测试标准，适用于电动汽车相关电力电子系统。其无铅环保设计也满足现代电子产品对绿色制造的要求。综合来看，这款SiC二极管是实现高效、小型化、高可靠功率转换解决方案的理想选择之一。
SCDS5D28NT331广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其是在追求高效率和高功率密度的设计中发挥关键作用。典型应用场景包括单相和三相功率因数校正（PFC）电路，特别是在图腾柱（Totem-Pole）PFC拓扑中作为高频整流元件使用，利用其零反向恢复特性来消除开关损耗。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于直流侧的防反接保护或旁路功能，提升系统能量转化效率。此外，在新能源汽车领域，它常用于车载充电机（OBC）、DC-DC变换器以及充电桩的主回路中，以支持快速充电与高效能量管理。
在工业电源与服务器电源领域，SCDS5D28NT331被用作次级侧整流器或辅助电源整流元件，帮助实现80 PLUS钛金等级以上的超高效率目标。其高温稳定性和长期可靠性也使其适用于电机驱动器、UPS不间断电源以及工业自动化控制系统中的功率模块。由于其具备较强的抗电磁干扰能力，也可用于对EMI敏感的精密设备供电单元中。总之，凡是需要低损耗、高频操作和高温运行的电力电子场合，SCDS5D28NT331都是一个极具竞争力的选择。
C4D05120A
SCH2050A-E3
CCS050650M
VSD5D280A-M3
