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W25M02GVZEIT TR 发布时间 时间:2025/8/21 0:32:47 查看 阅读:11

W25M02GVZEIT TR 是由 Winbond 公司生产的一款高性能、低功耗的串行闪存(Flash Memory)芯片,采用 SPI(Serial Peripheral Interface)接口进行通信。该芯片具有2MB(兆位)的存储容量,适用于需要代码存储和数据存储的应用场景,例如嵌入式系统、微控制器外设、工业控制设备和消费类电子产品。

参数

容量:2Mbit(256KB)
  接口类型:SPI
  工作电压:2.3V - 3.6V
  最高时钟频率:80MHz
  封装类型:WLCSP
  工作温度范围:-40°C至+85°C

特性

W25M02GVZEIT TR 具备低功耗设计,非常适合电池供电设备和对功耗敏感的应用。该芯片支持标准 SPI 模式,并提供快速的读写速度,最大时钟频率可达 80MHz,能够显著提升数据传输效率。其宽电压范围(2.3V 至 3.6V)使其兼容多种电源设计,适用于不同的系统架构。
  该芯片采用 WLCSP(晶圆级芯片封装)技术,体积小巧,适合空间受限的设计。此外,W25M02GVZEIT TR 提供高可靠性,支持超过 10 万次的擦写周期,并具有 20 年的数据保存能力,确保在各种工业和商业应用中的长期稳定性。
  这款闪存芯片还具备块锁定(Block Lock)功能,可以防止意外写入或擦除,保护关键数据的安全。其支持多种擦除方式,包括扇区擦除、块擦除和全片擦除,提供了灵活的数据管理能力。

应用

W25M02GVZEIT TR 主要应用于嵌入式系统中用于存储固件代码、配置数据或小型文件系统。它也广泛用于智能卡、传感器模块、可穿戴设备、物联网(IoT)设备以及手持设备等对空间和功耗有严格要求的电子产品中。在工业控制领域,该芯片可用于数据日志记录、参数存储和实时系统更新。此外,由于其高可靠性和宽工作温度范围,W25M02GVZEIT TR 也可用于汽车电子、安防监控和通信设备等严苛环境下的应用。

替代型号

AT25SF021-SSHD-B, MX25R2035FZNIL0

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W25M02GVZEIT TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列SpiFlash?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NAND(SLC)
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织256M x 8
  • 存储器接口SPI
  • 时钟频率104 MHz
  • 写周期时间 - 字,页700μs
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装8-WSON(8x6)