FDS8690-NL是一种N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效率和低导通电阻的场景。该器件采用Trench工艺制造,具有出色的开关特性和较低的导通损耗,适用于多种电源管理和电机驱动应用。
其封装形式为TO-252(DPAK),具备良好的散热性能,能够满足大多数工业和消费类电子设备的需求。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
持续漏极电流:13.8A
导通电阻:45mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷:24nC(典型值)
开关速度:快速开关
工作结温范围:-55℃至+150℃
FDS8690-NL的主要特点是低导通电阻和高效率。它在不同栅极驱动电压下的导通电阻非常小,可以有效减少导通损耗。
此外,该器件的快速开关能力和低栅极电荷使其非常适合高频开关应用。
由于采用了DPAK封装,该芯片还提供了良好的散热性能,能够在较高电流负载下稳定运行。
其可靠性和耐用性也经过严格测试,适用于恶劣的工作环境。
FDS8690-NL适用于多种领域,包括但不限于以下应用:
- 开关电源(SMPS)中的同步整流
- 电池管理系统的充放电控制
- DC-DC转换器
- 电机驱动和控制
- 消费类电子产品的负载开关
- 工业自动化设备中的功率控制模块
FDS8691, FDS8692, IRF7404