时间：2025/5/10 11:02:29
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FDS8690-NL是一种N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效率和低导通电阻的场景。该器件采用Trench工艺制造，具有出色的开关特性和较低的导通损耗，适用于多种电源管理和电机驱动应用。
其封装形式为TO-252(DPAK)，具备良好的散热性能，能够满足大多数工业和消费类电子设备的需求。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：13.8A
导通电阻：45mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：24nC（典型值）
开关速度：快速开关
工作结温范围：-55℃至+150℃
FDS8690-NL的主要特点是低导通电阻和高效率。它在不同栅极驱动电压下的导通电阻非常小，可以有效减少导通损耗。
此外，该器件的快速开关能力和低栅极电荷使其非常适合高频开关应用。
由于采用了DPAK封装，该芯片还提供了良好的散热性能，能够在较高电流负载下稳定运行。
其可靠性和耐用性也经过严格测试，适用于恶劣的工作环境。
FDS8690-NL适用于多种领域，包括但不限于以下应用：
- 开关电源(SMPS)中的同步整流
- 电池管理系统的充放电控制
- DC-DC转换器
- 电机驱动和控制
- 消费类电子产品的负载开关
- 工业自动化设备中的功率控制模块
FDS8691, FDS8692, IRF7404
