类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：80V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：8A
　　导通电阻(Rds(on))：0.033Ω（典型值）
　　功率耗散(Pd)：2.5W
　　工作温度范围：-55°C至175°C

LNZ8F8V2T5G具备极低的导通电阻，使其在高电流应用中能够减少功率损耗并提高整体效率。由于采用了先进的Trench沟槽工艺，该MOSFET在开关过程中具有较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗并提高系统效率。
　　此外，该器件具有较高的热稳定性，能够在高负载条件下保持良好的性能。其封装设计有助于快速散热，从而延长器件的使用寿命并提高可靠性。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至20V之间的驱动电压，适用于多种控制电路设计。同时，其最大漏源电压为80V，能够满足多种中高压应用的需求。
　　LNZ8F8V2T5G采用SOT-223封装，尺寸小巧，便于在空间受限的电路板上使用。其优异的电气特性和可靠性使其成为工业控制、电源管理和汽车电子应用中的理想选择。

该MOSFET广泛应用于各类电源管理系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动电路。此外，LNZ8F8V2T5G也适用于电池供电设备、LED照明驱动电路以及各类需要高效能功率开关的电子系统。
　　在工业自动化和控制系统中，该器件可用于控制高功率负载，如继电器、电磁阀和小型电机。其高可靠性和热稳定性使其在高温环境下也能稳定工作。
　　在汽车电子领域，LNZ8F8V2T5G可用于车载电源管理系统、电动助力转向系统（EPS）以及各类车载电子模块的功率控制部分。

SI4410BDY-T1-E3, FDS8858, NDS8859