时间：2025/8/21 3:46:01
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W25M02GVTBIT TR 是由 Winbond 公司推出的一款高性能、低功耗的串行闪存（Flash Memory）芯片，采用 SPI（Serial Peripheral Interface）接口，具备大容量存储能力，适用于多种嵌入式系统和数据存储应用。该芯片属于 NOR Flash 类型，支持快速读取和编程操作，并具有高可靠性和耐久性。
容量: 2Gb (256MB)
接口类型: SPI
工作电压: 1.8V ~ 3.6V
最大时钟频率: 80MHz
封装类型: VFBGA
存储温度范围: -40°C ~ +85°C
读取电流: 10mA（典型值）
写入/擦除电流: 20mA（典型值）
待机电流: <10μA
编程/擦除耐久性: 100,000 次循环
数据保持时间: 20 年
W25M02GVTBIT TR 是一款先进的串行 NOR Flash 存储器，具备多种优异的性能特性。首先，其容量为 2Gb（256MB），适用于需要较大存储空间的应用，如固件存储、图形数据缓存、系统引导代码存储等。芯片支持 SPI 接口，提供高速数据传输，最高时钟频率可达 80MHz，确保快速读取和写入操作。此外，其工作电压范围为 1.8V 至 3.6V，适用于多种电源管理方案，具有良好的兼容性和灵活性。
该芯片采用先进的 CMOS 工艺制造，具有低功耗特性，在待机模式下电流消耗低于 10μA，适合电池供电设备和低功耗嵌入式系统。W25M02GVTBIT TR 支持高达 100,000 次的编程/擦除周期，确保长期使用的稳定性和可靠性，数据保持时间可达 20 年以上，适用于工业控制、汽车电子和高可靠性应用场景。
W25M02GVTBIT TR 广泛应用于多个领域，尤其适合需要大容量、高速、低功耗存储的嵌入式系统。常见的应用包括工业控制系统、汽车电子模块、智能仪表、物联网（IoT）设备、消费类电子产品（如智能手表、穿戴设备）、通信模块（如 Wi-Fi、蓝牙、Zigbee）、图像传感器数据存储、以及嵌入式系统的启动代码存储等。其高可靠性和宽温度范围（-40°C 至 +85°C）使其特别适用于工业和汽车环境。
W25M02GJVIM7A, W25Q256JV, W25M512GV, W25Q512JV
