时间：2025/7/9 1:03:53
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RF15N0R9B201CT 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为高频射频应用设计。该器件采用先进的 GaN 技术，具有高功率密度、高效率和宽带宽的特性。它适用于射频功率放大器、雷达系统、通信基站和其他高性能射频应用场景。
RF15N0R9B201CT 的封装形式使其易于集成到各种射频电路中，并且其出色的电气性能使其成为传统硅基晶体管的理想替代品。
类型：GaN HEMT
最大漏源电压(Vds)：150 V
最大栅源电压(Vgs)：±8 V
输出电容(Coss)：30 pF
输入电容(Ciss)：60 pF
反向传输电容(Crss)：4 pF
导通电阻(Rds(on))：9 Ω
最大漏极电流(Id)：10 A
工作频率范围：DC 至 4 GHz
RF15N0R9B201CT 的主要特性包括高击穿电压（150V）、低导通电阻（9Ω）以及优化的射频性能。这些特点使其非常适合高频和高功率应用。此外，其具备快速开关速度和较低的寄生电容，从而提高了效率并减少了开关损耗。
GaN 技术的应用使 RF15N0R9B201CT 具备更高的功率密度，允许在更小的空间内实现更大的功率输出。同时，它的热性能优异，能够更好地处理高功率下的散热问题。
此外，该器件的设计考虑了可靠性，确保在极端条件下的稳定运行。它还兼容标准的表面贴装技术，便于大规模生产和装配。
RF15N0R9B201CT 主要用于射频功率放大器，特别适合于无线通信基础设施中的基站设备。它也广泛应用于航空航天和国防领域，如雷达系统和电子战设备。其他典型应用还包括点对点微波无线电、卫星通信以及测试与测量设备中的信号放大。
由于其高频性能，该器件还可以用于新兴的毫米波应用，例如5G网络部署中的大规模MIMO天线阵列。此外，它也可以用于工业科学医疗（ISM）频段内的多种功率放大需求。
RF15N0R9B202CT
RF15N0R9B203CT
