Z15GQ22-B 时间：2025/12/27 0:26:43 阅读：17

Z15GQ22-B是一款由Vishay Semiconductors生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极技术制造，专为高效率电源管理应用而设计。该器件封装在紧凑的PowerPAK SO-8L封装中，具备低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，使其成为同步整流、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等应用的理想选择。Z15GQ22-B的工作电压等级为22V，适用于低电压供电系统，例如便携式设备、电池供电系统以及主板电源管理模块。其封装形式支持表面贴装工艺，有利于自动化生产并提高PCB布局密度。该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的热性能，能够在较宽的温度范围内稳定工作。由于其出色的开关特性和导通损耗表现，Z15GQ22-B广泛用于需要高效能与小尺寸兼顾的应用场景中。

参数

型号：Z15GQ22-B
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：22 V
　　栅源电压（VGS）：±12 V
　　连续漏极电流（ID）：15 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：60 A
　　导通电阻（RDS(on) max）：4.5 mΩ @ VGS = 10 V
　　导通电阻（RDS(on) max）：6.0 mΩ @ VGS = 4.5 V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.0 V ~ 2.0 V
　　输入电容（Ciss）：1350 pF @ VDS = 10 V
　　反向恢复时间（trr）：15 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +150 °C
　　封装类型：PowerPAK SO-8L
　　安装方式：表面贴装
　　导通状态电阻典型值（RDS(on) typ）：4.0 mΩ @ VGS = 10 V

特性

Z15GQ22-B采用Vishay成熟的沟槽栅极MOSFET技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其最大导通电阻在10V栅压下仅为4.5mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体系统效率。这种低RDS(on)特性尤其适合大电流应用场景，如笔记本电脑中的多相降压变换器或电池管理系统中的功率开关。器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为20nC，有助于减少驱动电路的功耗，加快开关速度，从而进一步降低动态损耗。
　　该MOSFET具有优良的热稳定性，在高电流负载下仍能保持可靠的性能表现。PowerPAK SO-8L封装去除了传统D-Pak封装中的引线框架，采用铜夹连接技术，大幅提高了散热效率和电流承载能力。相比标准SO-8封装，它还有效减少了寄生电感和电阻，提升了高频工作的可靠性。此外，Z15GQ22-B具备较强的抗雪崩能力和良好的dv/dt抗扰度，增强了在复杂电磁环境下的鲁棒性。
　　器件的栅极驱动电压范围适中，支持4.5V至10V的标准逻辑电平驱动，兼容多种PWM控制器和驱动IC。其栅极阈值电压在1.0V到2.0V之间，确保了在上电过程中的安全开启行为。体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=15ns），可有效抑制反向恢复尖峰，减少电磁干扰（EMI），特别适用于同步整流拓扑中作为下管使用。总体而言，Z15GQ22-B是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于对效率、尺寸和热性能均有严格要求的设计。

应用

Z15GQ22-B主要用于各类中低电压直流电源系统中，典型应用包括同步整流式DC-DC降压转换器（Buck Converter），尤其是在多相VRM（电压调节模块）中用作上下桥臂开关，以提供高效的CPU或GPU供电。其低导通电阻和快速开关特性也使其适用于电池供电设备中的负载开关和热插拔控制器，能够有效控制浪涌电流并实现电源路径管理。此外，该器件可用于电机驱动电路，特别是在小型直流电机或步进电机的H桥驱动中担任开关元件，提供精确的电流控制与能耗优化。在笔记本电脑、平板电脑、网络通信设备以及工业控制板卡中，Z15GQ22-B常被用于电源管理单元（PMU）中，执行电源分配与切换功能。由于其良好的热性能和紧凑封装，也适合空间受限但需要高功率密度的设计场景。其他潜在应用还包括LED驱动电源、热插拔电源模块以及各种便携式消费类电子产品中的高效电源转换电路。