类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：500V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：4A（在25°C）
　　脉冲漏极电流(Idm)：16A
　　导通电阻(Rds(on))：2.2Ω（最大值，Vgs=10V）
　　功率耗散(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220、TO-251、TO-252等

FMD04N50G具备多项优异特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其最大漏源电压达到500V，能够在高压环境下稳定工作，适用于多种工业级电源系统。其次，导通电阻Rds(on)的最大值为2.2Ω，该参数较低，有助于减少导通损耗，提高整体效率。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，具备较强的抗干扰能力，并支持快速开关操作，从而降低开关损耗。
　　器件采用了先进的平面工艺技术，增强了热稳定性和长期可靠性，能够在高温环境下持续运行。其封装形式包括TO-220、TO-251、TO-252等多种选项，适应不同PCB布局和散热需求。FMD04N50G还具有良好的短路耐受能力，可在突发故障情况下提供更高的系统稳定性。
　　此外，FMD04N50G的封装设计有助于提高散热效率，确保在高电流负载下仍能维持较低的工作温度，从而延长使用寿命。该器件符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品的设计要求。

FMD04N50G主要应用于各类中高功率电子设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动电源、电机控制电路、逆变器、UPS不间断电源、工业自动化设备、家电控制模块以及新能源系统如太阳能逆变器等。
　　在开关电源设计中，FMD04N50G可作为主开关器件，用于实现高效的能量转换，同时保持良好的稳定性和可靠性。在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为高频开关使用，提高转换效率并减小电路体积。此外，在电机控制应用中，FMD04N50G可用于H桥驱动电路，实现电机的正反转控制和调速功能。
　　由于其高耐压能力和良好的热性能，FMD04N50G也常用于LED照明驱动器中，以实现恒流输出和高效能管理。在新能源领域，如光伏逆变系统中，该器件可用于实现直流侧到交流侧的高效能能量转换。

FQP4N50、IRF740、FQA4N50、STP4NK50Z、TKA4N50