型号：M5K4164NS
　　制造商：Fujitsu
　　类型：DRAM
　　工艺技术：NMOS
　　存储容量：16K-bit (4K × 4)
　　电源电压：5V ± 5%
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　封装形式：DIP-16
　　访问时间：150ns / 200ns 可选
　　刷新周期：2ms
　　数据宽度：4位
　　地址复用：行/列地址分时复用
　　引脚数：16
　　刷新方式：RAS Only Refresh 或 CAS Before RAS Refresh
　　待机功耗：典型值 80mW
　　工作功耗：典型值 180mW

M5K4164NS作为一款经典的NMOS工艺DRAM芯片，其核心特性之一是采用了地址复用技术，有效减少了芯片所需的地址引脚数量。传统的存储器若要独立输入全部地址线，将需要大量引脚，而M5K4164NS通过将12位地址分为行地址和列地址两部分，分别在不同的时间通过同一组地址引脚输入，从而仅需8根地址线即可完成4K存储单元的寻址。这种设计不仅降低了封装成本，也提高了PCB布局的灵活性，尤其适合引脚资源有限的早期微处理器系统。地址锁存由外部的行地址选通信号（RAS）和列地址选通信号（CAS）控制，当RAS下降时锁存行地址，CAS下降时锁存列地址，随后访问对应存储单元。
　　该芯片支持两种主要的刷新模式：RAS Only Refresh 和 CAS Before RAS Refresh（CBR）。由于DRAM依靠电容存储电荷来保存数据，电荷会随时间泄漏，因此必须定期刷新以维持数据完整性。M5K4164NS要求在2ms内对所有行至少刷新一次，系统可通过定时触发RAS信号来实现行刷新操作。这一机制使得系统设计者可以在不中断正常读写操作的前提下，合理安排刷新周期，保证系统稳定性。此外，芯片具备较低的静态功耗和动态功耗，在当时的技术条件下实现了较好的能效平衡，适用于对功耗有一定要求的便携式或电池供电设备。
　　在电气特性方面，M5K4164NS兼容标准TTL电平，可直接与当时的主流微处理器如Z80、8085、6502等无缝对接，无需额外的电平转换电路。其读写时序经过优化，访问时间提供150ns和200ns两种版本，满足不同性能等级的应用需求。芯片内部集成了灵敏放大器，能够在读取过程中快速放大微弱的存储电荷信号，提高读取速度和可靠性。同时，写入操作支持全字写入，数据通过双向I/O引脚写入指定地址单元。M5K4164NS还具备良好的抗干扰能力和温度稳定性，能够在工业级环境温度范围内稳定运行，适用于较为严苛的工作环境。

M5K4164NS广泛应用于20世纪80年代至90年代初的多种电子系统中，尤其是在早期的个人计算机和工作站中作为主存储器或显存使用。例如，在一些基于Z80或8086架构的微型计算机系统中，多个M5K4164NS芯片并联使用，构成更大容量的存储模块，满足系统运行程序和处理数据的需求。由于其4位数据宽度的特性，通常需要四片此类芯片组合成16位或八片组成32位数据总线，以匹配处理器的数据带宽。在图形显示系统中，M5K4164NS也曾被用作视频RAM（VRAM），存储屏幕像素信息，驱动CRT显示器输出图像。
　　在工业控制领域，M5K4164NS被用于PLC（可编程逻辑控制器）、数控机床和自动化仪表中，作为临时数据缓冲区或程序缓存，提升系统响应速度。其稳定的读写性能和成熟的接口协议使其成为当时工业设备中的理想选择。此外，在通信设备如调制解调器、交换机和终端设备中，该芯片用于存储配置参数、通信协议栈数据或临时消息队列，保障通信过程的连续性与可靠性。
　　在嵌入式系统和消费类电子产品中，M5K4164NS也有所应用，例如在早期的电子游戏机、计算器、打印机和传真机中作为工作内存使用。虽然现代设备已普遍采用更先进的SDRAM或DDR技术，但在设备维修、复古计算（retro computing）和历史设备复原项目中，M5K4164NS仍具有不可替代的价值。教育机构和科研单位也常将其用于数字电路、计算机组成原理和存储器接口设计的教学实验，帮助学生理解动态存储器的工作机制、刷新原理和时序控制方法。