容量：256 Kbit
　　组织结构：32K x 8
　　电源电压：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：70ns 最大
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：28
　　封装尺寸：8mm x 12mm
　　读取电流（最大）：180mA
　　待机电流（最大）：10μA

W24L11T-70LL SRAM 芯片具有多项优良特性，能够满足多种高性能存储需求。首先，其高速访问时间为70ns，能够支持快速的数据读写操作，适用于对响应时间要求较高的系统。其次，该芯片采用低功耗设计，在待机模式下电流消耗极低（最大10μA），适合用于电池供电或对能耗敏感的应用。此外，其工作电压范围为2.3V至3.6V，兼容多种电源管理系统，并能够在工业级温度范围（-40°C至+85°C）下稳定运行，增强了其在各种环境条件下的可靠性。W24L11T-70LL 采用28引脚 TSOP 封装，体积小巧，便于集成在紧凑型电路设计中。
　　该芯片还具备异步控制信号，支持与多种微处理器和控制器的直接接口，简化了系统设计。其内部结构采用先进的CMOS技术，提供高噪声抑制能力和低功耗性能，确保数据的稳定性和完整性。此外，W24L11T-70LL 具有良好的抗干扰能力，适用于复杂电磁环境中的工业设备和通信系统。

W24L11T-70LL 主要应用于需要高速缓存、临时数据存储和低功耗特性的嵌入式系统。典型应用包括工业自动化控制器、网络设备、通信模块、便携式测量仪器、医疗设备以及智能家电等。该芯片也常用于作为微控制器系统中的外部存储器，扩展主控芯片的内存容量，提升系统运行效率。此外，在需要可靠数据存储但无法使用动态存储器（DRAM）的场合，如实时数据缓冲和高速缓存场景中，W24L11T-70LL 也表现出色。

IS62WV2568ALL-70BLLI, CY62148EALL-70B, IDT71V416SA70B, A621024A-70LL