时间：2025/9/11 19:25:22
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KHB1D9N60D-RIF/P是一款由Kec Corporation生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频率应用。这款晶体管具有高性能的导通电阻和快速开关特性，适合用于电源转换、马达控制和DC-DC转换器等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：9A
最大漏极电压（VDSS）：600V
导通电阻（RDS(on)）：约0.85Ω（典型值）
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
功率耗散（PD）：50W
KHB1D9N60D-RIF/P具有低导通电阻，这使得在导通状态下的功率损耗显著降低，从而提高了效率和可靠性。该器件还具备快速开关特性，适合高频操作，可以减少开关损耗并提高系统性能。此外，其坚固的结构设计使其在恶劣的环境条件下也能稳定工作。
此MOSFET的封装形式为TO-220，便于安装和散热管理，适用于需要高可靠性的应用场景。其高耐压能力（600V）使其在高压电源转换器和逆变器中表现出色。同时，该器件的热稳定性优异，能够在较高的温度下保持稳定的性能，从而延长了使用寿命。
由于其优异的电气特性和机械设计，KHB1D9N60D-RIF/P能够在各种工业和消费类电子产品中广泛应用。它还支持多种驱动电路设计，便于工程师进行系统优化。
KHB1D9N60D-RIF/P广泛应用于开关电源、马达控制、DC-DC转换器、逆变器以及各类需要高功率密度和高效率的电子设备。它在工业自动化、家电控制和新能源系统中也具有重要的应用价值。
KHB1D9N60D-RIF, KHB1D9N60D-P, KHB1D9N60D-TPF
