时间：2025/4/29 11:01:17
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NGTB40N135IHRWG 是一款由 Nexperia 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 Infineon 的 TrenchSTOP? 技术，具备低导通电阻和高效率的特点，适用于各种开关电源、电机驱动以及负载切换等应用。其封装形式为 D2PAK (TO-263)，具有出色的散热性能和可靠性。
该型号的设计旨在提供卓越的性能，同时保持较低的功耗和较高的耐用性。它支持高达 135V 的漏源电压，并能够在高频条件下实现高效运行。
漏源电压(Vds)：135V
连续漏极电流(Id)：40A
导通电阻(Rds(on))：1.8mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷(Qg)：95nC（典型值）
总功耗(Ptot)：275W
工作温度范围(Ta)：-55°C 至 +175°C
封装类型：D2PAK (TO-263)
NGTB40N135IHRWG 提供了超低的导通电阻，从而降低了传导损耗并提高了整体效率。其优化的栅极电荷设计使得开关损耗也得以减少，非常适合高频开关应用。
此外，该器件还具有以下特点：
- 高雪崩能量能力，确保在异常情况下仍能可靠工作。
- 快速开关速度，有助于降低开关损耗。
- 符合 AEC-Q101 标准，适合汽车级应用。
- 具备优异的热稳定性，即使在极端温度条件下也能正常运行。
- 采用无铅封装，满足环保要求。
NGTB40N135IHRWG 广泛应用于需要高效功率转换和开关的领域，包括但不限于：
- 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
- 电动车辆 (EV) 和混合动力车辆 (HEV) 的电机控制器。
- 工业自动化设备中的电机驱动和伺服控制。
- 太阳能逆变器和储能系统的功率管理。
- 各类工业和消费电子产品的负载切换功能。
由于其出色的电气特性和可靠性，这款 MOSFET 成为许多高性能系统设计的理想选择。
NGTB50N135IHRWG, IRF840, FDP16N135C
