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GA1812A561GXGAT31G 发布时间 时间:2025/5/29 10:38:55 查看 阅读:12

GA1812A561GXGAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
  这款芯片通过优化沟道结构设计,有效降低了功率损耗,从而提高了整体系统效率。此外,它还具备良好的短路耐受能力和鲁棒性,适合各种严苛的工作环境。

参数

类型:MOSFET
  封装:TO-247
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):120A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
  总栅极电荷(Qg):95nC
  输入电容(Ciss):5000pF
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

GA1812A561GXGAT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,可显著降低传导损耗,提升效率。
  2. 快速开关能力,适用于高频开关应用。
  3. 高电流承载能力,支持大功率负载。
  4. 稳定的电气性能和热性能,确保在高温环境下可靠运行。
  5. 内置静电防护功能,增强抗干扰能力。
  6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  这些特点使得该芯片成为工业级和汽车级应用的理想选择。

应用

GA1812A561GXGAT31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  3. 汽车电子系统,例如发动机控制单元(ECU)、电池管理系统(BMS)和车载充电器。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 太阳。
  由于其优异的性能和可靠性,这款芯片在多个行业中都得到了广泛应用。

替代型号

IRFP260N
  STP120NF60
  FDP160N60DS
  IXFN120N60T2

GA1812A561GXGAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容560 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定1000V(1kV)
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-