GA1812A561GXGAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
这款芯片通过优化沟道结构设计,有效降低了功率损耗,从而提高了整体系统效率。此外,它还具备良好的短路耐受能力和鲁棒性,适合各种严苛的工作环境。
类型:MOSFET
封装:TO-247
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):120A
导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
总栅极电荷(Qg):95nC
输入电容(Ciss):5000pF
工作温度范围:-55℃至+175℃
GA1812A561GXGAT31G 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,可显著降低传导损耗,提升效率。
2. 快速开关能力,适用于高频开关应用。
3. 高电流承载能力,支持大功率负载。
4. 稳定的电气性能和热性能,确保在高温环境下可靠运行。
5. 内置静电防护功能,增强抗干扰能力。
6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
这些特点使得该芯片成为工业级和汽车级应用的理想选择。
GA1812A561GXGAT31G 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 汽车电子系统,例如发动机控制单元(ECU)、电池管理系统(BMS)和车载充电器。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 太阳。
由于其优异的性能和可靠性,这款芯片在多个行业中都得到了广泛应用。
IRFP260N
STP120NF60
FDP160N60DS
IXFN120N60T2