W20NB50 时间：2025/7/23 19:07:01 阅读：6

W20NB50是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型晶体管。该器件适用于高功率开关应用，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种高效率开关电源系统中。W20NB50采用TO-220封装形式，便于散热并适用于工业级环境。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　最大连续漏极电流（Id）：20A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.28Ω（典型值）
　　功率耗散（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

W20NB50具有优异的导通性能和快速开关特性，其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的平面工艺技术，具备良好的热稳定性和可靠性。W20NB50的栅极设计优化，使得其在高频开关应用中表现出色，适用于各类电源转换器及电机驱动电路。
　　此外，该MOSFET具有较强的过载和短路承受能力，能够在恶劣工况下稳定运行。其TO-220封装结构不仅便于安装和散热，也增强了器件在工业环境中的耐用性。W20NB50还具有低栅极电荷（Qg）特性，有助于减少开关过程中的能量损耗，从而提升整体系统性能。
　　为了确保长期运行的稳定性，W20NB50在设计上考虑了热阻优化，使得在高功率工作状态下也能保持较低的结温。其栅极氧化层具有良好的击穿电压容忍度，提高了器件在高压环境下的可靠性。W20NB50适用于多种拓扑结构，如Buck、Boost、Flyback等电源变换电路，广泛应用于工业电源、通信设备、家电控制以及新能源系统中。