时间：2025/8/17 0:31:35
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CJAC40N04是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由国产厂商生产，广泛应用于各类电源转换、电机控制、开关电源及功率驱动电路中。该器件采用先进的沟槽工艺技术，具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性等特点，适用于中高功率场合。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：40V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：120A（在25℃）
导通电阻（Rds(on)）：约3.2mΩ（典型值）
最大耗散功率（Pd）：200W
工作温度范围：-55℃～+175℃
CJAC40N04采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗，提高整体效率。该器件的漏极和源极之间可承受高达40V的电压，适用于中低压功率转换应用。其高栅极电压容限（±20V）提高了在复杂电路环境下的可靠性。
此外，CJAC40N04具有优异的热性能，能够在较高温度下稳定工作，适合用于高功率密度设计。封装形式通常为TO-263或TO-220等贴片或插件封装，便于散热和安装。该MOSFET还具备快速开关特性，有助于降低开关损耗，提高系统效率。
其结构设计优化了电场分布，提高了器件的雪崩能量承受能力，增强了在过载或瞬态条件下的鲁棒性。CJAC40N04适用于各种工业控制、电源管理、DC-DC转换器、马达驱动器及电池管理系统等。
CJAC40N04常用于电源管理领域，如DC-DC降压/升压变换器、同步整流器、负载开关和电源分配系统。在电机控制方面，该器件可用于无刷直流电机和步进电机的驱动电路。在电池管理系统中，CJAC40N04可用于充放电控制和保护电路。此外，它也适用于工业自动化设备、电动工具、电动汽车充电模块及各类高功率开关电源中。
Si444N10Y、CJAC40N10、IRF1404、IPD40N04S
