W12NK90Z 时间：2025/7/22 8:02:53 阅读：14

W12NK90Z是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的功率MOSFET晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管。这款MOSFET专为高电压和高电流应用场景设计，具备出色的热稳定性和导通特性，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、电池充电器等多种电力电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：900V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：12A（在Tc=100℃时）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.65Ω（在Vgs=10V时）
　　功率耗散(Pd)：125W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-220、TO-247等

特性

W12NK90Z具备低导通电阻，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。
　　该器件采用先进的平面工艺制造，确保了良好的热性能和高可靠性。
　　其高击穿电压能力（900V）使其适用于高电压操作环境，如工业电源和电机驱动。
　　此外，W12NK90Z具有快速开关特性，能够满足高频开关应用的需求，减少开关损耗。
　　内置的体二极管可以提供反向电流保护，提高电路的稳定性。
　　由于其优异的热管理和耐久性，W12NK90Z在高温环境下仍能保持稳定工作。

应用

W12NK90Z广泛应用于各种电力电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-AC逆变器、电机控制器、工业自动化设备和家用电器中的功率控制电路。
　　它也常见于可再生能源系统，如太阳能逆变器和风力发电设备中的功率转换模块。
　　此外，该MOSFET还可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制，以及电动汽车（EV）的车载充电器（OBC）和DC-DC转换器。
　　由于其高可靠性和优异的电气性能，W12NK90Z在工业和消费类电子产品中都具有广泛的应用前景。