HMT112S6TFR8C-H9 是由Hynix(现代半导体)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款存储器芯片设计用于高性能计算、服务器和网络设备等对存储容量和速度有较高要求的应用场景。该芯片采用FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)封装技术,具有较高的集成度和稳定性。
类型:DRAM
容量:128MB
数据总线宽度:16位
电压:2.3V - 3.6V
封装:FBGA
引脚数:54
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
时钟频率:166MHz
访问时间:5.4ns
封装尺寸:5.5mm x 4.5mm
HMT112S6TFR8C-H9 的主要特性包括其高性能的访问速度和低功耗设计,适用于多种嵌入式系统和通信设备。其FBGA封装不仅提供了良好的散热性能,还减少了PCB板的空间占用,提高了电路设计的灵活性。此外,该芯片支持自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh)模式,有效降低了系统功耗并延长了数据保持时间。
在电气特性方面,HMT112S6TFR8C-H9 的工作电压范围为2.3V至3.6V,使其能够在不同的电源条件下稳定运行。其166MHz的时钟频率和5.4ns的访问时间确保了数据的高速读写能力,适用于需要快速响应的应用场景。同时,该芯片具备较高的可靠性和耐用性,适用于工业级和商业级应用环境。
HMT112S6TFR8C-H9 主要应用于需要高稳定性和高性能存储的系统中,例如网络路由器、交换机、嵌入式控制系统、工业自动化设备以及消费类电子产品中的主控模块。此外,该芯片也广泛用于需要大量数据缓存和快速存取的通信设备,如基站控制器和数据采集系统。由于其低功耗特性和紧凑的封装形式,该芯片也非常适合用于便携式设备和对空间要求较高的应用场景。
HMT112S6TFR8C-H9的替代型号包括HMT112S6BFR8C-H9、HMT112S6TFR8B-H9以及ISSI的IS42S16100A-6T等。这些型号在功能和电气特性上与HMT112S6TFR8C-H9相似,可以根据具体的设计需求进行替换使用。