时间：2025/5/13 8:47:06
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IPD49CN10NG是一款高压MOSFET器件，采用TO-220封装形式。该芯片主要用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的应用场景。其设计特点在于高耐压能力、低导通电阻以及优秀的开关性能。
这款MOSFET属于N沟道增强型器件，能够承受较高的漏源电压，并具备快速的开关速度，从而减少开关损耗并提高整体效率。
型号：IPD49CN10NG
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：TO-220
漏源极电压(Vds)：650V
栅源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：10A
导通电阻(Rds(on))：350mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
功耗(Ptot)：125W
工作温度范围：-55℃至+175℃
IPD49CN10NG具有以下显著特性：
1. 高击穿电压(650V)，适合用于高压应用环境。
2. 低导通电阻(350mΩ)，减少了传导损耗，提高了系统效率。
3. 快速开关性能，可有效降低开关损耗。
4. TO-220封装提供良好的散热性能，确保长时间稳定运行。
5. 宽广的工作温度范围(-55℃至+175℃)，适用于各种严苛环境条件。
6. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
这些特性使得该器件在需要高效率和高可靠性的应用场景中表现出色。
IPD49CN10NG主要应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)：如适配器、充电器等。
2. 电机驱动：包括直流无刷电机控制、步进电机驱动等。
3. 逆变器：太阳能逆变器、不间断电源(UPS)中的核心元件。
4. LED驱动：大功率LED照明设备中的开关组件。
5. 工业自动化：各类工业控制设备及电力电子转换装置。
其高压、高效的特点使其成为众多功率转换应用的理想选择。
IPB40R04P7, IRF840, STP10NK60Z
