GW5BMF27K04 是一款由 Good-One(固得电子)生产的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用先进的沟槽式 MOS 技术制造,具备低导通电阻(Rds(on))、高耐压能力和卓越的热稳定性。GW5BMF27K04 特别适用于 DC-DC 转换器、同步整流、负载开关和马达控制等功率管理场合。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):40V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):120A(在25°C)
导通电阻(Rds(on):最大 2.7mΩ(在Vgs=10V时)
功耗(Pd):200W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:TO-263(D2PAK)
GW5BMF27K04 的核心优势在于其极低的导通电阻,这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该 MOSFET 在高电流负载下仍能保持良好的稳定性和散热性能。
其高耐压能力(40V)使其适用于多种中压功率转换应用,如服务器电源、工业自动化设备和电动车充电模块。
此外,该器件的栅极设计优化了开关速度,减少了开关损耗,从而提升了整体能效。
TO-263(D2PAK)封装提供了良好的热管理和机械强度,支持表面贴装工艺,适用于自动化生产流程。
GW5BMF27K04 还具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性,确保在恶劣工况下的可靠运行。
该 MOSFET 广泛应用于多个领域,包括但不限于:
电源管理:如 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、负载开关等;
工业控制:用于马达驱动、PLC(可编程逻辑控制器)和工业自动化设备中的功率开关;
通信设备:如基站电源、网络交换设备中的电源模块;
消费电子:高端笔记本电脑、台式机的电源管理系统;
新能源领域:如电动车充电模块、太阳能逆变器和储能系统的功率控制电路。
SiS6280, NexFET CSD17551Q5B, Infineon BSC027N04LS