型号：110MT160K
　　制造商：Vishay Precision Group
　　阻值：160 kΩ
　　阻值公差：±0.01%
　　最大功率（+25°C）：0.3 W
　　温度系数（TCR）：±0.05 ppm/°C
　　热电动势：≤0.01 μV/°C
　　长期稳定性（1年）：±0.005%
　　长期稳定性（3年）：±0.01%
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　储存温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：轴向引线，金属外壳，玻璃密封
　　尺寸：约 6.35 mm 直径 × 22.86 mm 长度
　　重量：约 1.5 g
　　绝缘电阻：≥1000 MΩ
　　耐电压：500 V RMS

110MT160K 的核心优势在于其采用的 Z-Foil 金属箔电阻技术，这种技术通过将极薄的镍铬合金箔片粘合到高导热陶瓷基板上，并利用激光修调实现精确阻值。该结构显著降低了热应力不匹配带来的阻值漂移，实现了业界领先的 ±0.05 ppm/°C 温度系数，意味着在环境温度从 -55°C 变化到 +125°C 的极端范围内，阻值的变化几乎可以忽略不计。此外，其在额定功率下的功率系数（PCR）也极低，通常小于 5 ppm/W，表明即使在负载变化时，自热效应也不会显著影响阻值。
　　该电阻具有出色的长期稳定性，经过加速老化测试验证，在正常工作条件下使用一年后阻值变化不超过 ±0.005%，三年内不超过 ±0.01%，这使其非常适合用于校准设备和基准电路，能够大幅延长仪器的校准周期，降低维护成本。其热电动势（Thermal EMF）低于 0.01 μV/°C，这一指标在存在温差的电路中尤为重要，可有效避免微小热电偶效应引入的测量误差，确保在微弱信号处理中的准确性。
　　110MT160K 采用全密封玻璃封装和轴向金属外壳设计，不仅提供了优异的防潮、防气和抗污染能力，还具备良好的机械强度和抗冲击性能。其高达 500 V RMS 的耐压能力确保了在高压应用中的安全运行。该器件符合 MIL-PRF-55342 等军用标准，适用于高可靠性应用场景。同时，其无感无容结构（寄生电感小于 0.08 μH，电容小于 0.2 pF）保证了在宽频率范围内（包括高频瞬态）的纯阻性表现，避免了相位失真和信号延迟，特别适合用于高速精密模拟电路和脉冲应用。

110MT160K 广泛应用于对精度和稳定性有极致要求的高端电子系统中。在精密测量仪器领域，如数字万用表（DMM）、源测量单元（SMU）和精密电桥中，它常被用作基准电阻或反馈元件，确保测量结果的准确性和重复性。在工业自动化和过程控制中，该电阻用于高精度传感器信号调理电路、PLC 模拟输入模块和电流检测电路，提升系统的整体测量精度和长期可靠性。
　　在航空航天与国防领域，110MT160K 因其符合军用标准和在极端环境下的稳定表现，被用于飞行控制系统、惯性导航系统、雷达信号处理单元和卫星通信设备中的精密电源管理与信号链路。医疗电子设备，如高端成像系统（MRI、CT 扫描仪）、病人监护仪和实验室分析仪器，也依赖此类电阻来确保诊断数据的准确性和安全性。
　　此外，在半导体测试设备（ATE）、高分辨率数据采集系统（DAQ）和精密电源设计中，110MT160K 常用于构建精密分压器、增益设定电阻和电压基准缓冲电路，以实现亚微伏级的电压稳定性和极低噪声性能。其卓越的热稳定性和低热电动势特性也使其成为热电偶信号放大和冷端补偿电路中的理想选择，避免引入额外的测量误差。

VSR160K00FE