类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：140A
　　导通电阻(Rds(on))：7.5mΩ（最大）
　　功率耗散(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

VVZ110-14I07 的核心优势在于其出色的导通性能和高效的开关特性。其导通电阻低至7.5mΩ，使得在大电流工作时产生的功率损耗显著降低，从而提高整体系统的效率。
　　此外，该MOSFET采用了先进的沟槽式结构，优化了电场分布，提高了器件的击穿电压稳定性，确保在高电压环境下仍能保持可靠运行。
　　该器件的封装形式为TO-263（D2PAK），具备良好的热管理能力，能够有效散热，适用于高功率密度的设计。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）使其在极端环境条件下也能稳定工作。
　　VVZ110-14I07 还具有快速开关特性，能够适应高频开关应用，减少开关损耗，提高系统的响应速度和效率。这种特性使其非常适合用于电源转换器、同步整流器以及电机驱动电路中。

该MOSFET广泛应用于各类高功率电子系统中，例如工业电源、服务器电源、电信设备电源、电池管理系统、电动车辆充电系统、DC-DC转换器、同步整流器以及电机控制电路等。
　　在电源管理领域，VVZ110-14I07 常用于高效率的同步整流设计，以降低导通损耗，提高电源转换效率。
　　在电机控制应用中，该器件的高电流承载能力和快速开关特性可确保电机驱动电路的稳定性和高效性。
　　此外，在新能源系统如太阳能逆变器和储能系统中，该MOSFET也常用于功率转换模块，以实现高效能的能量传输。

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　　 "SiHH140N100E、FDMS86180、IRFB4110PBF"
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